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CMOS欠壓保護(hù)電路PCB設(shè)計(jì)

1.引言　　在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS等系統(tǒng)中電壓的穩(wěn)定尤為重要，欠壓、過(guò)壓保護(hù)是必不可少的，因此通過(guò)在芯片內(nèi)部集成過(guò)壓、欠壓保護(hù)電路來(lái)提高電源的可靠性和安全性。對(duì)功率集成電路，為提高電路的可靠性，保護(hù)電路同樣必不可少。保護(hù)電路的PCB設(shè)計(jì)要簡(jiǎn)單、實(shí)用，本文PCB設(shè)計(jì)了一種CMOS 工藝下的欠壓保護(hù)電...
2014-03-25

高速LED及CMOS檢測(cè)芯片高速光耦HCPL-0738

HCPL-0738高速數(shù)字 CMOS 光電耦合器HCPL-0738 為采用 SOIC-8 封裝的雙通道 15MBd CMOS 高速光電耦合器，使用最新的 CMOS 芯片技術(shù)達(dá)到極低功耗下的卓越性能。 HCPL-0738 的基本構(gòu)建塊包含高速 LED 和 CMOS 檢測(cè)芯片，...
2014-01-15

使用八進(jìn)制CMOS緩沖器的二象限乘法DAC

關(guān)鍵字：CMOS緩沖器線驅(qū)動(dòng)器 DAC 本設(shè)計(jì)實(shí)例使用一個(gè)八進(jìn)制CMOS緩沖器的大工作電壓范圍，呈現(xiàn)一個(gè)由緩沖器/線驅(qū)動(dòng)器IC74HC244組成的簡(jiǎn)單的八位二象限乘法數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)。如圖1所示，一個(gè)八位數(shù)字字通過(guò)電阻器R1~R8寫入CMOS緩沖器U1的八個(gè)輸入中。U1的各個(gè)輸出通過(guò)由電阻器R...
2014-01-05

使用八進(jìn)制CMOS緩沖器的二象限乘法DAC

關(guān)鍵字：CMOS緩沖器線驅(qū)動(dòng)器 DAC 本設(shè)計(jì)實(shí)例使用一個(gè)八進(jìn)制CMOS緩沖器的大工作電壓范圍，呈現(xiàn)一個(gè)由緩沖器/線驅(qū)動(dòng)器IC74HC244組成的簡(jiǎn)單的八位二象限乘法數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)。如圖1所示，一個(gè)八位數(shù)字字通過(guò)電阻器R1~R8寫入CMOS緩沖器U1的八個(gè)輸入中。U1的各個(gè)輸出通過(guò)由電阻器R...
2014-01-01

[IPG-53H20PL-A]200萬(wàn)CMOS網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)模組

200萬(wàn)的網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)CMOS傳感器以其高性價(jià)比被廣泛的運(yùn)用，產(chǎn)品的高清化是未來(lái)的方向，1080P高清的普及標(biāo)志著產(chǎn)品升級(jí)換代的開始，為提供高性價(jià)比的高清產(chǎn)品解決方案，我司為此特開發(fā)了IPG-53H20PL-A高清模組，采用海思最新的Hi3516C方案，標(biāo)準(zhǔn)38mm*38mm，簡(jiǎn)單方便，高速產(chǎn)品化,方便組裝成各種類型外殼的...
2013-12-17

中低價(jià)手機(jī)走俏，CMOS/GaAs PA競(jìng)爭(zhēng)加劇

互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體功率放大器（CMOS PA）與砷化鎵（GaAs）PA方案戰(zhàn)火愈演愈烈。CMOS PA正挾尺寸及成本優(yōu)勢(shì)于中低價(jià)手機(jī)市場(chǎng)攻城掠地，市占可望提升至15%～20%，而GaAs PA廠商為進(jìn)一步防堵對(duì)手攻勢(shì)，將全面啟動(dòng)輕晶圓代工（Fab-lite）策略，以同時(shí)鞏固高階手機(jī)及中低價(jià)手機(jī)市占。　　拓墣產(chǎn)業(yè)研究所...
2013-10-27

一種新型的高性能CMOS電流比較器電路

1 引言隨著VLSI 特征尺寸的不斷縮小和高速?低功耗應(yīng)用需求的不斷增加，電流型電路逐漸受到廣泛的重視。與傳統(tǒng)的電壓型電路相比，電流型電路具有面積小、速度快、可在低電壓下工作和與數(shù)字CMOS 集成電路工藝完全兼容的特點(diǎn)，成為取代電壓型電路的一種有效方式，現(xiàn)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于A /D變換器、濾波器...
2013-10-12

標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

為了使串聯(lián)電阻有效的降低，特別在肖特基版圖中采用交織的方法。通過(guò)對(duì)實(shí)測(cè)所設(shè)計(jì)的肖特基二極管，以所測(cè)得的C-V、I-V及S參數(shù)對(duì)肖特基二極管的勢(shì)壘電壓、飽和電流及反向擊穿電壓繼續(xù)擰計(jì)算，最后給出能夠用于SPICE仿真的模型設(shè)計(jì)。0 引言隨著射頻無(wú)線通信事業(yè)的發(fā)展和移動(dòng)通訊技術(shù)的進(jìn)步，射頻微波器件...
2013-09-17

CMOS面陣圖像傳感器之高動(dòng)態(tài)光照渲染技術(shù)

高動(dòng)態(tài)范圍(HDR)高動(dòng)態(tài)范圍(HDR)成像的一個(gè)特色，是可用來(lái)拍攝最亮和最暗區(qū)域之間具有寬對(duì)比度的圖像。通過(guò)擴(kuò)展動(dòng)態(tài)范圍，它有助于使此類圖像看起來(lái)更為自然。東芝公司的圖像傳感器已開發(fā)了HDR功能，可以糾正對(duì)比度高的場(chǎng)景，產(chǎn)生更自然的靜態(tài)和視頻拍攝圖像。東芝的HDR功能，減少了由于HDR合成而產(chǎn)生的...
2013-09-14

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