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是指在LED回路中串聯(lián)一定阻值的電阻，以改善LED的電流對電壓變化的敏感度來限制LED電流，使LED正常工作的一種簡單的LED“驅(qū)動”電路。 （來源：電子百科頻道）
LED驅(qū)動電路 2017-8-22 14:15
流經(jīng)LED的電流是由與LED串聯(lián)的電阻所控制的。 （來源：電子百科頻道）
2017-8-21 16:13
把輸入的交流市電整流、濾波后直接用開關(guān)器件和電抗性器件對輸入的高電壓進(jìn)行降壓限流，適合串聯(lián)驅(qū)動多只發(fā)光管。 （來源：電子百科頻道）
高電壓進(jìn)行降壓限流 2017-8-21 16:12
可調(diào)電感器有半導(dǎo)體收音機用振蕩線圈、電視機用行振蕩線圈、行線性線圈、中頻陷波線圈、音響用頻率補償線圈、阻波線圈等， 1．半導(dǎo)體收音機用振蕩線圈此振蕩線圈在半導(dǎo)體收音機中與可變電容器等組成本機振蕩電路，用來產(chǎn)生一個輸入調(diào)諧電路接收的電臺信號高出465kHz的本振信號。其外部為金屬屏蔽... （來源：電子百科頻道）
可調(diào)電感器振蕩線圈阻波線圈 2017-2-27 15:58
作為新型非揮發(fā)性存儲器中的一員，RRAM要能夠與現(xiàn)在主流的浮柵flash競爭，除了要將存儲性能做到和flash相當(dāng)之外。RRAM必須利用高集成密度的優(yōu)勢來降低成本，從而獲取市場份額。 一般認(rèn)為，RRAM的集成可以分為有源陣列(active)和無源陣列(passive)兩種。在有源陣列中，使... （來源：電子百科頻道）
存儲器 2016-10-12 13:52
對單管RRAM存儲器件，RRAM阻變存儲器從高阻態(tài)向低阻態(tài)轉(zhuǎn)換時，通常要在器件兩端施加限制電流。主要是因為在RRAM存儲器件從高阻態(tài)轉(zhuǎn)變到低阻態(tài)后，流經(jīng)器件的電流會突然增大，如果不在器件兩端設(shè)置一定的限制電流，會造成器件的永久擊穿。為了實現(xiàn)RRAM存儲器件在從高阻態(tài)向低阻態(tài)轉(zhuǎn)變過程中... （來源：電子百科頻道）
有源陣列結(jié)構(gòu)RRAM存儲器件 2016-8-4 10:18
(1)電容器組保護(hù)，主要包括不平衡電流保護(hù)、過負(fù)荷保護(hù)。保護(hù)應(yīng)延時告警、經(jīng)或不經(jīng)延時動作于三相永久旁路電容器組。 (2)MOV(金屬氧化物非線性電阻)保護(hù)，主要包括過溫度保護(hù)、過電流保護(hù)、能量保護(hù)。保護(hù)應(yīng)動作于觸發(fā)故障相GAP(間隙)，并根據(jù)故障情況，單相或三相暫時旁路電容器組。 (3)旁路斷... （來源：電子百科頻道）
電容組保護(hù)過負(fù)荷保護(hù)電容器組 2016-7-19 14:29
高性能離子液體基超級電容器要求離子液體具有高的純度，寬的電化學(xué)穩(wěn)定窗口，高的電導(dǎo)率和低的凝固點。離f液體的選擇也必須考慮到這些鹽的離子化學(xué)性質(zhì)很大程度上影響電極／離子液體界面的雙電層結(jié)構(gòu)，因此也會影響到超級電容器的電容。無溶劑意味著離子液體與碳電極的直接接觸，閡此需要根... （來源：電子百科頻道）
高性能離子液體電導(dǎo)率凝固點 2016-7-8 16:08
戴維南定理指出：“任何含源二端網(wǎng)絡(luò)，對外電路來說都可以用一個電壓源和電阻的串聯(lián)組合來等效置換，此電壓源的電壓等于二端網(wǎng)絡(luò)的端口開路電壓；而電阻等于二端網(wǎng)絡(luò)全部獨立電源置零后端口的輸入電阻。” （來源：電子百科頻道）
二端網(wǎng)絡(luò)電壓源電阻 2016-6-23 10:58
將電阻與LED串聯(lián)，通過調(diào)節(jié)電阻值來控制LED的正向電流 （來源：電子百科頻道）
2016-4-8 15:11
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高電壓進(jìn)行降壓限流 2017-8-21 16:12
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