阻變存儲(chǔ)器(RRAM)的基本結(jié)構(gòu)為上下電極以及電阻轉(zhuǎn)變層組成的“三明治”結(jié)構(gòu),如圖所示。電阻轉(zhuǎn)變層材料在電激勵(lì)的作用下會(huì)出現(xiàn)不同電阻狀態(tài),以此來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。這和相變存儲(chǔ)器類似,但不同的是相變存儲(chǔ)器中采用相變材料,在電阻變化過(guò)程中材料的晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化;而在RRAM中,電阻變化過(guò)程... (來(lái)源:電子百科頻道)
RRAM 2017-8-30 13:21
相變存儲(chǔ)器(PRAM)也可簡(jiǎn)寫為PCM(phase-change memory)、PCRAM(phase-change random access memory)、OUM(ovonics unified memory)等。相變存儲(chǔ)器是利用硫系化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)之間的導(dǎo)電性差異來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。材料的晶態(tài)與非晶態(tài)之間一般通過(guò)焦耳熱進(jìn)行轉(zhuǎn)變。簡(jiǎn)化... (來(lái)源:電子百科頻道)
相變存儲(chǔ)器相變材料 2016-8-5 09:58