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IGBT模塊簡介 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大... （來源：電子百科頻道）
2013-4-7 15:02
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質上是一個場效應晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個P型層.根據(jù)國際電工委員會IEC/TC(CO)1339文件建議,其各部分名稱基本沿用場效應晶體管的相應命名。 下圖為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構,N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極.N+區(qū)稱為漏區(qū).器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于... （來源：電子百科頻道）
絕緣柵極雙極性晶體管 2010-11-29 16:31
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