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48 條關(guān)于“CMOS”的信息，用時:0.001 sec.
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AT60142E/ET:4Mb很低功耗CMOS SRAM,512kx8結(jié)構(gòu),工作電壓3.3V,存取時間15ns,在15ns時的功耗為810mW,待機時為215uW,輸入和輸出和TTL電平兼容,工作溫度-55度到125度C,能經(jīng)受100K拉德的輻射量(TM1019.5),ESD保護大于4000V,FP36封裝,可用在航空航天電子,手提儀表和飛機電子系統(tǒng)
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2007-09-27
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AT60142E:很低功耗耐輻射CMOS SRAM,采用6晶體管(6T)存儲器單元,容量為4Mb(524288x8位),工作電壓3.3V,存取時間20ns,工作時功耗小于790mW,待機時215uW,工作溫度-55度到125度C,TTL兼容輸入和輸出,異步工作,根據(jù)MIL-STD-833 Method 1019標準采用總劑量300Krad(Si)進行測試,FP36封裝,可用在需要快速計算和低...
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2007-09-27
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FOD0708/38:單/雙路CMOS光耦合器,包括有AlGaAs LED光耦合到高速跨導放大器和電壓比較器,采用最新的CMOS IC技術(shù),有杰出的性能和非常低的功耗,5V CMOS電壓兼容,8引腳SOIC封裝,15ns脈沖寬度失真(最大為30ns),最大傳輸時延歪斜40ns,高速度15MBd, 最大傳輸時延為60ns,共模抑制大于10KV/us,工作溫度-40度到10...
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2007-09-24
中電網(wǎng)官方微博
