M36P0R9060E0: :512Mb閃存+64Mb PSRAM存儲器子系統,工作電壓1.7-1.95V,多片封裝(MCP),具有電子簽名(包括有制造商代碼和器件代碼),閃存同步/異步讀取,同步突發讀模式為108MHz或66MHz,隨機存取時間93ns,采用緩沖器增強工廠編程命令的字編程時間為4us,多組存儲器陣列,每組64Mb,安全性有2112位用戶可編程OT... (來源:下載頻道)
網絡資源 2007-9-27 10:54
M36P0R9070E0:512Mb閃存+128Mb PSRAM存儲器子系統,工作電壓1.7-1.95V,多片封裝(MCP),具有電子簽名(包括有制造商代碼和器件代碼),閃存同步/異步讀取,同步突發讀模式為108MHz或66MHz,隨機存取時間93ns,采用緩沖器增強工廠編程命令的字編程時間為4us,多組存儲器陣列,每組64Mb,安全性有2112位用戶可編程OTP... (來源:下載頻道)