MT45W8MW16BGX-701:128Mb假靜態RAM,采用低功耗的距部陣列刷新(PAR),溫度補償自刷新(TCSR)和深度降功耗(DPD)模式,具有低的成本/比特速率比,深度8Mb,寬度x16,I/O電壓1.7V-1.95V,內核電壓1.7V-1.95V,讀/寫模式有異步/頁/突發模式,有隱藏的刷新工作和先進的功率管理特性,54引腳VFBGA封裝(8.0x 10.0 x 1.0mm... (來源:下載頻道)
網絡資源 2007-9-27 10:55