“有源鉗位正激轉換器利用P通道MOS進行鉗位,是公認的高效率電源拓撲。該設計支持將儲存的電感能量反饋到電網,從而提高整體轉換器效率。為了進一步提高效率,該設計還集成了基于MOSFET的二次自整流電路。本文探討了二次整流電路面臨的設計難題,強調了優化占空比的重要性。值得注意的是,有源鉗位正激轉換器中采用了廣泛的電源技術,本文僅介紹了其中一種。
”表1.設計要求
參數 |
符號 |
最小值 |
最大值 |
輸入電壓 |
VINDC |
27.8 VDC (≈ 24 × 85% × √2-1) |
60 VDC |
VINAC |
20.4 VAC (≈ 24 × 85%) |
41.8 VAC | |
開關頻率 |
350 kHz | ||
峰值頻率 |
η |
高于88% | |
占空比 |
D |
0.22 |
0.46 |
輸出電壓 |
VOUT |
14.85 |
15.15 |
輸出電壓紋波 |
ΔVOUT |
300 mV | |
輸出電流 |
IOUT |
0 A |
1.5 A |
輸出功率 |
POUT |
22.5 W |
ADI公司的MAX17598是有源鉗位電流模式PWM控制器,其中包含隔離正激轉換器電源設計所需的所有控制電路。本文深入探討了二次自整流電路設計的考慮因素和評估結果。
二次自整流電路的設計考慮
ACFC通過使用自整流電路,實現了更高的效率。圖1為基于MOSFET的典型自整流電路原理圖。與傳統的二極管整流電路相比,MOSFET的導通電阻更低,所以其電路效率更高,尤其是在低電壓、大電流輸出的情況下。
圖1.通用輸出自整流電路1
然而,當輸出電壓接近或超過MOSFET柵極電壓工作范圍時,這個設計就不合適了。我們可以通過附加電路來產生這些MOSFET的柵極驅動電壓。圖2為該電路的細節信息。G1和G2連接到變壓器的輔助繞組。
柵極1連接到N2的柵極(如圖1所示),柵極2連接到N1的柵極。柵極1和柵極2與開關周期同步。當柵極1輸出高電平時,柵極2輸出低電平,反之亦然。完整電路如圖3所示。
圖2.輔助繞組變壓器中的柵極驅動電路
圖3.性能測試使用的示例電路
該環路必須確保輸出處于MOSFET VGS的工作范圍內。公式1反映了柵極驅動電壓與匝數比之間的關系。
KGATE為變壓器比率。NG為變壓器繞組的匝數。NP為變壓器初級繞組的匝數。VGATE_MAX為MOSFET柵極驅動電壓的最大電壓。VDC_MAX為直流輸入電壓的最大電壓。
當初級環路的主開關閉合時,施加于變壓器的電壓為正,即VDC。因此,柵極1的輸出為高電平,柵極2的輸出為GND。它與匝數比和直流輸入電壓有關。
當主MOSFET關斷時,鉗位電路將漏極電壓限制為VCLAMP。VCLAMP高于VDC,因此柵極1的輸出為GND,而柵極2的輸出為高電平。
鉗位電壓可通過下式計算:
柵極2的電壓與匝數比以及VCLAMP和VDCINPUT之間的差距有關。
占空比會隨輸入電壓而變化,因此必須確保柵極的驅動電壓能夠以完整的VIN范圍驅動MOSFET。應用最大直流輸入和最小導通率時,柵極驅動電壓將達到最小值。
在設計示例中,柵極2最低電壓可依照式5進行計算。當輸入直流電壓達到最大值時,柵極2上的電壓只有4.23 V。
如果該電壓低于VGS導通閾值,則二次整流電路的MOSFET將無法準確工作。這可能導致當輸入電壓接近最大值時,電源在沒有任何負載的情況下無法啟動。在示例電路中,VGS閾值電壓為3 V,小于計算出的最小VGATE2。
圖4為示例電路的測量結果。CH1為柵極1的電壓。CH2為柵極2的電壓。CH4為主面N-MOS的源漏電壓。
圖4.柵極1和柵極2電壓以及MOSFET漏極電壓(VIN = 60 V)
圖5.不同負載下的輸入和輸出電壓
圖6顯示了輸出電壓水平如何隨輸出電流不同而變化。不同的線表示不同的輸入電壓。
圖6.輸出電流和輸出電壓
圖7為不同輸入電壓和負載下的峰值效率。當輸入為36 V、輸出為1.5 A時,峰值效率達到91%。
圖7.峰值效率
波特圖顯示了峰值效率工作條件下的環路穩定性,即VDCINPUT = 36 V、IOUTPUT = 1.5 A。
圖8顯示了環路響應。
圖8.波特圖
圖9和圖10顯示了輸出峰峰值電壓。圖9是無負載電流的情況,圖10是滿負載的情況。
圖9.空載時輸出峰峰值電壓
圖10.滿負載1.5 A時輸出峰峰值電壓
圖11和12顯示了負載瞬態響應。圖11為負載從零變為滿負載。圖12為負載從滿負載變為零。CH1測量的是輸出電壓(交流耦合)。CH2測量的是輸出負載電流。
圖11.瞬態響應(0 A至1.5 A)
圖12.瞬態響應(1.5 A至0 A)
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