前往首頁 聯系我們 網站地圖
分立電荷存儲器包括納米晶浮柵存儲器和電荷俘獲存儲器(charge trapping memory，CTM)。使用納米晶來提高flash的性能這一想法最早是由IBM的Tiwari等在1996年提出的，器件的基本結構如圖(a)所示。納米晶存儲器的核心部分由控制柵、阻擋絕緣層、隧穿絕緣層以及它們之間的納... （來源：電子百科頻道）
分立電荷存儲器浮柵結構納米晶存儲器 2016-8-4 10:05
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到1條【分立電荷存儲器】相關的全部。
查看關鍵詞的分類頻道
中電網官方微博