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XB系列HVIGBT模塊（3.3kV/1500A型） 三菱電機集團近日（2025年4月8日）宣布，將于5月1日開始供應其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊的樣品。該模塊是一款3.3kV/1500A的大容量功率半導體，專為軌道交通車輛等大型工業設備設計。通過采用專有的二極管和IGBT元件，以及獨特的芯... （來源：新品頻道）
三菱電機HVIGBT模塊 2025-4-10 11:20
尼得科精密檢測科技株式會社（以下簡稱“本公司”）將參加2025年3月6日（周四）至3月8日（周六）在曼谷國際貿易展覽中心（BITEC）舉辦的“2025泰國亞洲電子智能制造展覽會（Intelligent Asia Thailand 2025）”。 本次展覽會將主要展出針對AI服務器日益大型化和復雜化... （來源：新聞頻道）
尼得科2025泰國亞洲電子智能制造展覽會 2025-2-27 17:23
• AIST 集團（由日本國立產業技術綜合研究所（AIST）和 AIST Solutions Co. (NGK)就用于功率半導體元件（功率半導體模塊）和其他此類應用的氮化硅陶瓷基板的熱擴散率評估方法的驗證開展了聯合研究。 • 通過這項共同研究，我們將尋求最高精度的尖端產品評估方法，從而利用先進技術... （來源：新聞頻道）
氮化硅陶瓷基板電源模塊 2025-2-11 10:07
三菱電機株式會社近日（2025年1月14日）宣布，將于2月15日起開始提供新型工業用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品，適用于太陽能和其他可再生能源發電系統。該模塊采用第8代絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片，有助于降低太陽能發電系統、儲能電池等電源系統中逆變器的功率損耗，提高逆變器的輸出功率。 ... （來源：新品頻道）
三菱電機 第8代IGBT模塊 2025-1-20 10:43
三菱電機集團近日（2024年12月23日）宣布，將于12月26日開始提供兩款新的S1系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊樣品，這兩款模塊額定電壓均為1.7kV，適用于鐵路車輛和直流輸電等大型工業設備。得益于三菱電機專有的絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片和絕緣結構，新模塊實現了出色的可靠性、低功率損... （來源：新品頻道）
三菱電機 HVIGBT模塊 IGBT 2024-12-26 13:05
作者：陳子穎前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。任何導熱材料都有... （來源：技術文章頻道）
功率器件 熱設計半導體模塊 2024-12-19 13:46
前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯系實際，比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫... （來源：技術文章頻道）
功率器件 IGBT 英飛凌 2024-12-4 10:36
尼得科精密檢測科技株式會社將參展2024年12月11日(周三)～12月13日(周五)于東京國際會展中心舉辦的“SEMICON Japan 2024”（2024日本東京半導體展覽會）。 在本屆展覽會上，尼得科精密檢測科技將展出針對IGBT/SiC功率半導體檢測設備、EV/HEV等驅動電機測試臺以及晶圓檢測夾具“探針卡”等新的解決方... （來源：新聞頻道）
尼得科 精密檢測 SEMICON Japan 2024 2024-11-21 11:12
助力車載電動壓縮機和工業設備逆變器等效率提升全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等應用，開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現了業界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。此次發售的產品包括4款分立封裝... （來源：新品頻道）
ROHM 逆變器 1200V IGBT 2024-11-8 11:02
通過開發車載功率模塊，助力xEV技術創新長城汽車旗下的無錫芯動半導體科技有限公司（Wuxi XinDong Semiconductor Technology Co., Ltd. ，以下簡稱“芯動半導體”）與全球知名半導體廠商羅姆（ROHM Co., Ltd. ，以下簡稱“羅姆”）簽署了以SiC為核心的車載功率模塊戰略合作伙伴協議。隨著新能... （來源：新聞頻道）
芯動半導體 羅姆 2024-10-11 10:48
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