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全球光通信芯片市場規模在2024年約為35億美元，預計到2030年將突破110億美元，年復合增長率達17%。其中，數據中心和AI算力需求是主要驅動力，400G/800G光模塊出貨量激增拉動了PAM4芯片組（DSP、驅動器和TIA）的研發投入。硅光子模塊市場預計從2023年的14億美元增長至2029年的103億美元，年復合增長率45... （來源：新聞頻道）
光通信芯片 2025-9-12 10:34
作為萊迪思半導體(Lattice Semiconductor)在亞太地區舉辦的重要技術交流活動，萊迪思亞太技術峰會(Lattice APAC Tech Summit)一直是公司展示低功耗FPGA技術、推動行業合作與創新的絕佳舞臺。 在今年的東京技術峰會上，包括三菱電機、德賽、Furukawa AS、Glory LTD、LIPS和恩智浦等在內的150余... （來源：技術文章頻道）
FPGA工業領域萊迪思 2025-8-22 09:26
亞洲電力電子業界的年度學術會議，PCIM Asia Shanghai國際研討會將于九月重返上海。本屆國際研討會將聚焦碳化硅、氮化鎵、電機驅動和運動控制等熱門話題及前沿技術，齊聚業界領袖、技術專家、科研學者分享先進技術解決方案，展望行業未來發展趨勢。今年研討會更設立與演講者對話專區，為參與各方提供一... （來源：新聞頻道）
PCIM Asia Shanghai電力電子 2025-8-8 13:06
2025年6月30日，三菱電機智能制造科技中國集團總部正式落成。這是今年3月三菱電機株式會社宣布在中國成立新公司后落地的最新成果，標志著三菱電機工業自動化事業在華經營模式發生變革，以產銷研一體化的自主經營，進一步兌現服務中國市場的承諾。 三菱電機智能制造科技中國集團總部落成儀式 ... （來源：新聞頻道）
三菱電機中國成立新公司 2025-7-2 15:11
根據英飛凌5月8日發布的Q2財報，2024年全球功率半導體市場再次發生變化，其中總規模縮至323億美元，來自中國的士蘭微以3.3%的市場份額升至第六，比亞迪以3.1%的市場份額位列第七，后者首次躋身全球前十。 英飛凌2024年全球功率半導體市占率仍位居全球第一，不過同比下降2.9個百分點（市占率為17.7%）... （來源：新聞頻道）
功率半導體士蘭微比亞迪 2025-5-12 16:19
XB系列HVIGBT模塊（3.3kV/1500A型） 三菱電機集團近日（2025年4月8日）宣布，將于5月1日開始供應其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊的樣品。該模塊是一款3.3kV/1500A的大容量功率半導體，專為軌道交通車輛等大型工業設備設計。通過采用專有的二極管和IGBT元件，以及獨特的芯... （來源：新品頻道）
三菱電機HVIGBT模塊 2025-4-10 11:20
ICONICS宣布其正式更名為三菱電機Iconics數字解決方案（MEIDS），這標志著其在演變過程中邁出了大膽的一步。在三菱電機株式會社的支持下，MEIDS繼續在SCADA自動化、數字化以及智能、可持續建筑領域保持領先地位，并憑借擴展的資源和全球影響力不斷發展壯大。 作為SCADA工業自動化、數字化以及智能... （來源：新聞頻道）
三菱電機Iconics數字解決方案 2025-4-8 11:25
本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態特性。包括閾值電壓特性、開通和關斷特性以及體二極管的反向恢復特性。此外，還應注意測試波形的準確性。 1. 閾值電壓特性 SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態電阻。驅動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，... （來源：技術文章頻道）
SiC MOSFET 三菱電機 2025-3-28 11:10
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態特性。 1. 正向特性 圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內建電勢，所以在... （來源：技術文章頻道）
SiC MOSFET 三菱電機 2025-3-17 11:00
SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優點，可降低電力電子系統的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發電及新能源汽車等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態特性和動態特性。SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一... （來源：技術文章頻道）
SiC SBD 三菱電機 2025-3-3 10:31
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