作為第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換效率，并且降低對熱循環的散熱要求。在電力電子系統中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可以實現更低的開關和導通損耗，同時具有更高... （來源：技術文章頻道）
SiC MOS碳化硅MOSFET世輝基本半導體 2024-6-19 11:31
作者：Bill Schweber所有的分立式開關功率器件都需要驅動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅動器是系統處理器的低電壓、低電流輸出端與開關器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環境中運行，而后者則... （來源：技術文章頻道）
功率器件驅動器柵極驅動器 2023-10-7 15:42
功率器件驅動器柵極驅動器 2023-9-14 11:30
中高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今天推出SCALE-iDriver™系列電磁隔離的單通道門極驅動IC的擴展產品。新器件支持耐壓為1700 V以內的IGBT，通常適用于400 VAC至690 VAC的應用。它們也適用于最新的三電平拓撲光伏逆變器，以及采用... （來源：新品頻道）
Power IntegrationsSCALE－iDriver IC產品系列 2017-5-17 10:22
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