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“引言”近年來,為了更好地實現自然資源可持續利用,需要更多節能產品,因此,關于焊機能效的強制性規定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝,其非常規封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。文:英飛凌科技高級應用工程師Jorge Cer... (來源:技術文章頻道)
增強互連封裝技術 1200 V SiC MOSFET單管設計 2023-6-6 16:31
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