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新型內(nèi)存技術(shù)MRAM、ReRAM和PCRAM做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備

當(dāng)前計算架構(gòu)的演變、制造工藝的進步已經(jīng)很難推動芯片計算速度的發(fā)展，各種新型應(yīng)用帶來的數(shù)據(jù)爆炸導(dǎo)致數(shù)據(jù)訪問性能和計算性能的失衡不斷增長，從而推動了許多新型隨機存取存儲器（RAM）技術(shù)的發(fā)展。比較典型的新型RAM技術(shù)包括磁阻RAM（MRAM）、電阻式RAM（ReRAM）和相變RAM（PCRAM）。這些新型器件一直... （來源：新聞頻道）

內(nèi)存技術(shù)NAND閃存人工智能 存儲器（RAM）技術(shù) 2019-8-19 10:01