碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面,這些物質比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質的采用旨在克服硅的局限性,而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料,所以會引發不良的導電性泄漏,且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這... (來源:技術文章頻道)
寬禁帶測試 泰克 2023-3-16 13:16