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在追求高效能、小體積的電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用領(lǐng)域,傳統(tǒng)硅基(Si) 功率器件已逐漸觸及性能天花板。全球領(lǐng)先的氮化鎵功率半導(dǎo)體廠商英諾賽科 (Innoscience),推出了兩款高性能低壓電機(jī)驅(qū)動方案:INNDMD48V25A1 (分立方案) 和 INNDMD48V22A1 (集成方案) ,為機(jī)器人、無人機(jī)、電動工具等低壓電機(jī)應(yīng)用帶來革命性突破... (來源:新品頻道)
英諾賽科GaN電機(jī)驅(qū)動 2025-9-12 14:22
作者:安森美 在科技演進(jìn)浪潮中,能源技術(shù)已逐漸成為現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心驅(qū)動力。從移動設(shè)備到云服務(wù)器,從電動車到智慧城市,科技產(chǎn)品日益強(qiáng)調(diào)效能、速度與可持續(xù)能源的平衡,而這一切的背后都需要更高效、更穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換技術(shù)。 隨著各種應(yīng)用對能源效率與功率密度的要求不斷提高,傳... (來源:技術(shù)文章頻道)
iGaN適配器安森美 2025-8-22 12:09
功率變換器是電能利用的重要裝置,其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件,常見類型有 MOSFET、IGBT和二極管。傳統(tǒng)Si器件已逼近材料極限,成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。SiC器件憑借更高開關(guān)速度、高結(jié)溫下同時承受高壓大電流等特性,可顯著提升轉(zhuǎn)換效率、功率密度并降低系統(tǒng)成本,特別適... (來源:技術(shù)文章頻道)
車載電驅(qū)RIGOL功率半導(dǎo)體 2025-7-31 10:20
7月14日下午,市場監(jiān)督管理總局發(fā)布公告,宣布附加限制性條件批準(zhǔn)新思科技公司(Synopsys)收購安似科技公司(ANSYS)股權(quán)案。 美國EDA大廠新思科技曾在2024年1月16日宣布,將以現(xiàn)金加股票的形式,收購工業(yè)軟件大廠ANSYS,總價值約為350億美元。該交易原本預(yù)計將于2025年上半年完成,但需獲得An... (來源:新聞頻道)
新思科技Ansys 2025-7-14 16:08
納芯微正式推出車規(guī)級隔離半橋驅(qū)動芯片NSI6602MxEx系列,該系列在納芯微明星產(chǎn)品NSI6602基礎(chǔ)上,集成了米勒鉗位功能,同時兼具高隔離電壓、低延時、死區(qū)可配、欠壓閾值可選等特點(diǎn),適用于驅(qū)動SiC、IGBT等器件,可廣泛應(yīng)用于新能源汽車OBC、DC/DC、主動懸架等場景。 NSI6602MxEx與NSI6... (來源:新品頻道)
納芯微NSI6602MxEx驅(qū)動芯片半橋 2025-7-14 15:59
單器件雙向控制,開啟無限可能 作者:Dr. Kennith Kin Leong, Lead Principal, Product Definition and Concept Engineer, High-Voltage GaN Bidirectional Switch at Infineon Technologies. 校對:宋清亮英飛凌消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)市場總監(jiān) 電力電子技術(shù)在過去幾十年間經(jīng)歷了巨... (來源:技術(shù)文章頻道)
氮化鎵開關(guān)電力電子 2025-7-10 13:13
摘要: 以硅通孔(TSV)為核心的 2.5D/3D 封裝技術(shù)可以實現(xiàn)芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復(fù)雜,容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側(cè)壁傾斜,開口較大,有利于膜層沉積和銅電鍍填充,可降低工藝難度和提高填充質(zhì)量。在相對易于實... (來源:技術(shù)文章頻道)
刻蝕工藝TSV 2025-6-25 09:24
芯和半導(dǎo)體近日在美國舊金山西莫斯克尼會議中心舉辦的DAC2025設(shè)計自動化大會上,正式發(fā)布了其EDA2025軟件集。 面對人工智能技術(shù)對計算效能需求的指數(shù)級攀升,構(gòu)建支撐AI發(fā)展的新型基礎(chǔ)設(shè)施需立足系統(tǒng)性思維,突破單一芯片的物理邊界,構(gòu)建涵蓋計算架構(gòu)、存儲范式、互連技術(shù)到能效優(yōu)化的多維協(xié)同... (來源:新聞頻道)
芯和半導(dǎo)體DAC 2025-6-24 11:04
基于多個高功率應(yīng)用案例,我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢,兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個區(qū)間,但分立MOSFET卻能帶來獨(dú)特優(yōu)勢:設(shè)計自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合。當(dāng)單個 MOSFET 無法滿足功率需求時,再并聯(lián)一顆MOSFET即可解決問題。 然而,功率... (來源:技術(shù)文章頻道)
意法半導(dǎo)體 SiC MOSFET 并聯(lián) 2025-6-20 10:30
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測試(DPT)作為一種關(guān)鍵的測試方法,為功率器件的動態(tài)行為評估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案,并介紹泰克專家高遠(yuǎn)新書的相關(guān)內(nèi)容。 雙脈沖測試的目標(biāo)參數(shù)... (來源:技術(shù)文章頻道)
泰克功率半導(dǎo)體雙脈沖測試 2025-6-18 09:49
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