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上海市經濟和信息化委員會印發《上海市下一代顯示產業高質量發展行動方案（2026-2030 年）》。方案指出，加快構建全市“1+2+3+4”下一代顯示產業體系，以終端需求作為龍頭牽引，發展兩大技術路線，布局三大未來方向，攻關四大核心環節。到 2028 年，打造產業鏈完整、產業生態完善、技術水平領... （來源：新聞頻道）
元宇宙 VR MROLED 2025-7-23 10:21
摘要： 以硅通孔（TSV）為核心的 2.5D/3D 封裝技術可以實現芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復雜，容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側壁傾斜，開口較大，有利于膜層沉積和銅電鍍填充，可降低工藝難度和提高填充質量。在相對易于實... （來源：技術文章頻道）
刻蝕工藝TSV 2025-6-25 09:24
本文作者：中國科學院微電子研究所研究員葉甜春、苑朋朋、清華大學朱煜、集成電路裝備創新聯盟張國銘、集成電路設計創新聯盟杜曉黎、集成電路零部件創新聯盟雷震霖 面向“十五五”，我國半導體裝備產業面臨技術封鎖與供應鏈脫鉤的雙重挑戰，需從“追趕替代”轉向“路徑創新... （來源：技術文章頻道）
半導體裝備 2025-6-13 13:22
• 通快霍廷格電子等離子體射頻及直流電源為晶圓制造的沉積、刻蝕和離子注入等關鍵工藝提供精度、質量和效率的有力保障。• 立足百年電源研發經驗，通快霍廷格電子將持續通過創新等離子體電源解決方案，助力半導體產業實現工藝優化、產品穩定和降本增效。通快霍廷格電子將于3月26日-28日亮相... （來源：新聞頻道）
霍廷格電子 SEMICON China 2025 2025-3-25 08:40
8月27日，普樂科技（POPSOLAR）泰興基地首批高效BC電池片順利出貨。這讓普樂科技一舉成為全球首家對外供應GW級BC電池片的專業電池片制造商。 背接觸（Back Contact，BC）電池是單結晶硅太陽能電池天花板技術，其理論轉換效率和實驗室轉換效率都最接近晶硅電池29.43%理論效率，但由于該電池量產技... （來源：新聞頻道）
普樂科技BC電池片光伏電池片 2024-8-30 14:18
摘要：使用SEMulator3D®可視性沉積和刻蝕功能研究金屬線制造工藝，實現電阻的大幅降低封面圖：正文：作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Timothy Yang 博士01 介紹銅的電阻率由其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配決定，并隨尺寸縮小而顯著提升。通常，銅線的制作流程是... （來源：技術文章頻道）
半導體金屬線電阻沉積和刻蝕技術 2024-8-15 15:49
可靠性和穩定性是保障半導體產品順暢運行的關鍵因素。半導體器件的封裝必須注意避免受到物理、化學和熱損傷。因此，封裝材料必須具備一定的質量要求。隨著業界對半導體產品運行速度的要求不斷提高，封裝材料需要具備更優異的電氣性能，比如具備低介電常數（Permittivity）1和介電損耗（Dielectric Loss... （來源：技術文章頻道）
SK海力士 半導體封裝 2024-8-13 10:06
微加工過程中的蝕刻技術是一種關鍵且復雜的工藝，用于在微小尺寸上控制材料的形狀和結構。以下是關于微加工過程中蝕刻技術的詳細解釋：一、蝕刻技術簡介蝕刻技術，也稱為刻蝕，是一種在制造過程中從晶片表面去除層的方法。它是微納加工中的關鍵步驟，廣泛應用于半導體、光學器件、生物醫學、納米技術和... （來源：技術文章頻道）
微加工過程蝕刻技術 2024-7-1 14:02
在本系列第七篇文章中，介紹了晶圓級封裝的基本流程。本篇文章將側重介紹不同晶圓級封裝方法所涉及的各項工藝。晶圓級封裝可分為扇入型晶圓級芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圓級芯片封裝(Fan-Out WLCSP)、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝、及硅通孔(TSV)封裝。此外，本文還將介紹應用于這... （來源：技術文章頻道）
晶圓級封裝 工藝流程 2024-6-28 10:12
在本系列第六篇文章中，我們介紹了傳統封裝的組裝流程。本文將是接下來的兩篇文章中的第一集，重點介紹半導體封裝的另一種主要方法——晶圓級封裝(WLP)。本文將探討晶圓級封裝的五項基本工藝，包括：光刻(Photolithography)工藝、濺射(Sputtering)工藝、電鍍(Electroplating)工藝、光刻膠去膠(PR Strip... （來源：技術文章頻道）
晶圓級封裝 WLP SK海力士 2024-5-30 10:08
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