弘大在韓國已經開發出了常關單片氮化鎵(GaN)上硅開關裝置,包括一鉗位電路和常通型金屬氧化物半導體異質結構場效應晶體管(MOSHFET)相宇Han等,IEEE電子器件快報,網上28日公布2015年四月。常斷設備優選用于功率開關應用在低功耗方面和故障安全操作。雖然常斷氮化鎵晶體管已經使用各種技術被生產時,... (來源:新品頻道)
韓國Hongik大學常關單片氮化鎵(GaN)開關裝置 2015-5-19 17:20