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弘大在韓國已經開發出了常關單片氮化鎵（GaN）上硅開關裝置，包括一鉗位電路和常通型金屬氧化物半導體異質結構場效應晶體管（MOSHFET）相宇Han等，IEEE電子器件快報，網上28日公布2015年四月。常斷設備優選用于功率開關應用在低功耗方面和故障安全操作。雖然常斷氮化鎵晶體管已經使用各種技術被生產時，... （來源：新品頻道）
韓國Hongik大學常關單片氮化鎵（GaN）開關裝置 2015-5-19 17:20
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