隨著技術的不斷進步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而，這些器件在長期連續使用后會出現老化現象，導致性能退化。如何在短時間內準確評估這些器件的老化特性，成為行業關注的焦點。 目前，針對功率器件的老化測試主要包括多種不同的測試... （來源：技術文章頻道）
泰克功率器件老化高溫老化測試 碳化硅 氮化鎵 2025-5-28 11:02
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布擴大碳化硅 (SiC) 產品組合，推出五款高性能、低品質因數 (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管。DSCxxA065LP 系列的額定電流為 4A、6A、8A、10A 及 12A，采用超高熱效率的 T-DFN8080-4 封裝，專為高效率電源開關產品應用而設計，例如直流對直流、交流轉直流... （來源：新品頻道）
Diodes 碳化硅肖特基二極管 2025-4-29 13:36
在功率半導體領域，氮化鎵（GaN）因其高頻高效特性被譽為 “下一代開關器件的核心”，這一技術如今已經通過快充進入到了千家萬戶，但如何持續發揮出氮化鎵的功率優勢，在不同領域都實現如快充頭一樣的普及，一直是行業難題。 德州儀器（TI）日前推出了行業標準TOLL封裝的GaN LMG365x，滿足... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵TI 2025-4-16 11:18
精密信號鏈設計人員面臨著滿足中等帶寬應用中噪聲性能要求的挑戰，最后往往要在噪聲性能和精度之間做出權衡。縮短上市時間并在第一時間完成正確的設計則進一步增加了壓力。持續時間Σ-Δ (CTSD) ADC本身具有架構優勢，簡化了信號鏈設計，從而縮減了解決方案尺寸，有助于客戶縮短終端產品的上市時間。為了... （來源：技術文章頻道）
ADC CTSD技術 信號鏈設計 2025-3-27 11:22
PN結是由P型半導體和N型半導體連接而成的界面或接觸區域，是半導體器件中基本的結構之一。PN結的形成和行為是半導體物理中的重要內容，廣泛應用于二極管、晶體管等電子器件。 1. P型半導體與N型半導體 P型半導體：由于摻入了三價元素（如硼），使得半導體材料中有很多“空穴”&mda... （來源：技術文章頻道）
PN結 2025-3-27 11:00
肖特基二極管（Schottky Diode）和快恢復二極管（Fast Recovery Diode）都是常用的半導體器件，它們在電子電路中的作用和應用有所不同。下面是它們的主要區別： 1. 工作原理 肖特基二極管：肖特基二極管采用金屬與半導體的接觸方式（如金屬-半導體接觸），而不是傳統的P-N結。它具有非常低的... （來源：技術文章頻道）
肖特基二極管快恢復二極管 2025-3-26 10:15
輸入（線路）測量大多數工業和重型商用變頻驅動器都采用三相輸入。較小的驅動器可能使用單相線電壓。特別是在電動汽車和其他電池供電的應用中，驅動器通常采用直流供電。IMDA電源分析軟件支持所有這些配置（參見上集的“接線配置”）。在IMDA測量包中，電能質量測量組和諧波測量組用于計算驅動器的功耗... （來源：技術文章頻道）
示波器 三相電機驅動器 2025-3-13 14:02
可再生能源（主要是太陽能和風能）迅速成為現代能源電網的一部分。該現象導致了更加分散的發電方法。 您可以在圖1中看到此方法如何補充現有的電源基礎架構，其中包括： 常規中央電廠 傳輸變電站 分配變電站 變壓器 高壓傳輸線。 圖1。現代住宅的各個子系統之間的功率信號相互作用。 從... （來源：技術文章頻道）
DC／DC轉換器Ymin電容器 2025-3-6 10:36
PNP型晶體三極管是一種常見的雙極性晶體管，廣泛應用于電子電路中。下面將深入介紹PNP型晶體三極管的結構、工作原理、特性及應用。 1. 基本結構 PNP型晶體三極管由三個區域組成： • 發射極（E）： 該區域摻雜了較高濃度的P型半導體材料，通常為正電荷的載流子（孔）。 &... （來源：技術文章頻道）
PNP型晶體三極管 2025-3-3 10:26
作者：駿龍科技 升降壓式開關電源是眾多電壓變換形式中設計和調試難度最高的方案，設計者往往會被糾纏于電路的工作效率、噪聲輻射等困擾中。由于工業現場的復雜和惡劣環境，供電電壓很容易受到影響產生波動。為了穩定電路工作電壓，升降壓電源逐漸成為工業領域中普遍使用的電源方案。ADI 推出的 LT8... （來源：技術文章頻道）
升降壓芯片LT8210升降壓電源 2025-2-27 10:24
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