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作者：安森美 斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊，而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置（RCD） 或接地故障斷路器（GFCI） 。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。 機電式斷路器的設計可追溯至 20 世紀 20 年代，如今仍... （來源：技術文章頻道）
固態斷路器SiC JFET 2025-9-30 13:09
一、電子元器件分類有哪些？ 電子元器件可以按照不同的分類標準進行分類，以下是一些常見的分類方式： 01按照功能分類： 主動元件：如晶體管、集成電路等，能夠放大、開關、控制電流或電壓的元件。 被動元件：如電阻、電容、電感等，不能放大或控制電流或電壓，主要用于限制、儲存或傳輸電... （來源：技術文章頻道）
電子元器件 2025-4-28 09:32
為了減緩氣候變化，人類在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著進展，交通領域的電氣化進程也在加速推進。這些新興技術大多對電源提出了更高的要求，尤其是對大功率的需求。例如，電動汽車（EV）的電池包電壓已高達900 VDC以上，容量可達95kWh；快充和超充系統功率更是輕松突破240kW。氫燃料電... （來源：技術文章頻道）
碳化硅技術電源可再生能源MOSFET 2025-4-2 09:50
PN結是由P型半導體和N型半導體連接而成的界面或接觸區域，是半導體器件中基本的結構之一。PN結的形成和行為是半導體物理中的重要內容，廣泛應用于二極管、晶體管等電子器件。 1. P型半導體與N型半導體 P型半導體：由于摻入了三價元素（如硼），使得半導體材料中有很多“空穴”&mda... （來源：技術文章頻道）
PN結 2025-3-27 11:00
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態特性。 1. 正向特性 圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內建電勢，所以在... （來源：技術文章頻道）
SiC MOSFET 三菱電機 2025-3-17 11:00
二極管的反向恢復時間（Reverse Recovery Time, trr）是描述二極管在從正向導通狀態切換到反向截止狀態時，其電流響應速度的一個重要參數。這個時間與二極管在電流變化過程中存儲的電荷釋放過程有關。下面我們詳細解讀這一概念。 1. 反向恢復時間的定義 反向恢復時間是指，當二極管的正向電流從... （來源：技術文章頻道）
二極管 2025-3-10 10:00
二極管反向恢復機理（Reverse Recovery Mechanism）是指當一個二極管從正向導通狀態切換到反向截止狀態時，二極管內存儲的少數載流子（如電子和空穴）會導致反向電流的產生，直到這些載流子被完全移除。這個過程稱為反向恢復時間（reverse recovery time, trr）。 反向恢復機理的詳細過程： ... （來源：技術文章頻道）
二極管反向恢復機理 2025-2-24 10:15
PN連接二極管由p區域和N區組成，該區域由耗盡區域分離，該區域存儲了電荷。上一個教程中描述的效果是實現的，而沒有將任何外部電壓應用于實際的PN連接，從而導致連接處處于平衡狀態。但是，如果我們要在N型和P型材料的末端進行電氣連接，然后將它們連接到電池源，則現在存在一個額外的能源來克服潛在的... （來源：技術文章頻道）
PN連接二極管 2025-2-21 11:12
公共堿基放大器是另一種類型的雙極連接晶體管（BJT）配置，其中晶體管的基本端子是輸入和輸出信號的常見終端，因此其名稱為common Base（CB）。與更流行的普通發射極（CE）或公共收集器（CC）配置相比，常見的基本配置作為放大器不太常見，但由于其的輸入/輸出特性，但仍被使用。 為了使常見的基本... （來源：技術文章頻道）
基礎放大器晶體管 2025-2-19 10:20
單結晶體管（Unijunction Transistor，簡稱UJT）是一種具有單一PN結的半導體器件，通常用于振蕩器電路和脈沖電路中。它與傳統的雙極型晶體管（如NPN或PNP型晶體管）不同，只有一個PN結。UJT在結構上只有三個引腳：一個是基極（B），另兩個是發射極（E1和E2）。 單結晶體管的工作原理： 結電流... （來源：技術文章頻道）
單結晶體管場效應晶體管 2025-2-18 09:35
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