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Vicor 憑借 BCM6135 雙向 DC－DC 電源轉換器榮獲 2025 年度“最佳技術實踐應用獎”

Vicor 憑借 BCM6135 雙向 DC－DC 電源轉換器榮獲 2025 年度“最佳技術實踐應用獎”

該顛覆性電源模塊通過賦能汽車電氣化及推動主動懸架系統創新而贏得業界認可美國馬薩諸塞州安多弗，2025 年 11 月 18 日 —— Vicor 公司日前宣布，憑借 BCM6135 雙向 DC-DC 電源轉換器模塊榮獲蓋世汽車（Gasgoo）頒發的“2025 年度最佳技術實踐應用獎”。該權威獎項旨在表彰對... （來源：新聞頻道）

Vicor BCM6135 電源轉換器 2025-11-18 17:16

GAN技術在電機控制中的優勢

GAN技術在電機控制中的優勢

GaN技術在不同應用中的優勢滿足日益增長的高能效和高功率性能的需求，同時不斷降低成本和尺寸是當今功率電子行業面臨的主要挑戰。較新的寬禁帶化合物半導體材料氮化鎵 (GaN) 的引入代表功率電子行業在朝著這個方向發展，并且，隨著這項技術的商用程度不斷提高，其應用市場... （來源：技術文章頻道）

GAN 電機控制意法半導體逆變器 2025-11-13 11:24

安森美發布垂直氮化鎵（GaN）半導體：為人工智能（AI）與電氣化領域帶來突破性技術

安森美發布垂直氮化鎵（GaN）半導體：為人工智能（AI）與電氣化領域帶來突破性技術

安森美基于全新GaN-on-GaN技術，其垂直GaN架構為功率密度、能效和耐用性樹立新標桿核心摘要隨著全球能源需求因 AI 數據中心、電動汽車以及其他高能耗應用而激增，安森美推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體，為相關應用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破性的新一代&n... （來源：新聞頻道）

安森美垂直氮化鎵GaN半導體人工智能AI 2025-10-31 13:13

在高密度高功率設計中采用Pickering公司新型靜電屏蔽技術，有效抑制噪聲干擾

144系列舌簧繼電器的全新靜電屏蔽型號，可顯著降低線圈驅動與高壓電路之間的噪聲干擾 2025年10月29 日，英國濱海克拉克頓：高性能舌簧繼電器全球領導者Pickering Electronics升級了其144系列大功率舌簧繼電器，新增配備靜電屏蔽結構的衍生型號。該系列產品額定功率高達 80w，以0.25英寸間... （來源：新聞頻道）

Pickering舌簧繼電器 2025-10-30 11:06

英飛凌推出采用TO－247PLUS－4回流焊封裝的CoolSiC MOSFET 1400V G2系列，提升大功率應用中的功率密度

英飛凌推出采用TO－247PLUS－4回流焊封裝的CoolSiC MOSFET 1400V G2系列，提升大功率應用中的功率密度

電動汽車充電、電池儲能系統，以及商用、工程和農用車輛（CAV）等大功率應用場景，正推動市場對更高系統級功率密度與效率的需求，以滿足日益提升的性能預期。同時，這些需求也帶來了新的設計挑戰，例如，如何在嚴苛環境條件下實現可靠運行、在應對瞬態過載時如何保持穩定性，以及如何優化整體系統性能。... （來源：新品頻道）

英飛凌CoolSiC MOSFET 2025-10-20 10:14

以功率半導體創新破局 AI 數據中心能耗難題，構建綠色高效未來

以功率半導體創新破局 AI 數據中心能耗難題，構建綠色高效未來

——專訪安森美高級現場應用工程師陳熙在AI技術飛速發展的當下，數據中心作為算力樞紐，正面臨著日益嚴峻的能耗挑戰。為深入了解行業應對之策，中電網特別專訪了安森美高級現場應用工程師陳熙，圍繞AI數據中心的能耗困境、安森美的技術解決方案、供應鏈保障及未來研發方向展開深入探討。... （來源：新聞頻道）

AI 數據中心硅溝槽功率 MOSFETSiC MOSFET 2025-10-20 09:28

從硅到碳化硅過渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？

從硅到碳化硅過渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？

電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能... （來源：新聞頻道）

碳化硅Cascode JFET碳化硅器件氮化鎵 2025-10-15 13:15

瑞薩電子采用下一代功率半導體為800伏直流AI數據中心架構供電

瑞薩電子采用下一代功率半導體為800伏直流AI數據中心架構供電

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，支持NVIDIA宣布的800伏直流電源架構的高效電源轉換和分配，推動下一代更智能、更快速的人工智能（AI）基礎設施發展。隨著GPU驅動的AI工作負載日益密集，數據中心功耗攀升至數百兆瓦級別，現代數據中心亟需兼具能效優化與可擴展性的電源架構... （來源：新品頻道）

瑞薩電子功率半導體數據中心AI 2025-10-15 09:17

圣邦微電子推出 40V 耐壓、低導通電阻、高性能的 N 溝道 MOSFET SGMNQ12340

圣邦微電子推出 40V 耐壓、低導通電阻、高性能的 N 溝道 MOSFET SGMNQ12340

圣邦微電子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐壓、低導通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應用于 VBUS 過壓保護開關、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開關及 DC/DC 轉換器。 SGMNQ12340 具有低導通電阻的顯著特點，其典型值僅為 13mΩ（VGS = 10V），最大值不... （來源：新品頻道）

圣邦微電子MOSFET SGMNQ12340 2025-10-13 14:08

魯光推出LGE3D30120H碳化硅二極管

魯光推出LGE3D30120H碳化硅二極管

在追求高效率、高功率密度和高可靠性的現代電力電子世界中，碳化硅技術正以前所未有的速度取代傳統硅基器件。魯光電子推出的LGE3D30120H，便是一款采用標準TO-247AC封裝的碳化硅肖特基二極管，它以其卓越的性能，成為中大功率應用領域升級換代的理想選擇。一、LGE3D30120H主要參數核心... （來源：新品頻道）

魯光LGE3D30120H碳化硅二極管 2025-10-13 11:32

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