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[原創(chuàng)]On Semi NCP51561SiCMOSFET隔離柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案

On Semi公司的NCP51561是分別具有4.5A源電流和9A沉峰值電流的隔離雙路柵極驅(qū)動(dòng)器,電流隔離為5 kVrms.設(shè)計(jì)用來(lái)開(kāi)速開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiCMOSFET功率晶體管.器件提供短和匹配的傳輸時(shí)延.從輸入到每個(gè)輸出的電流隔離為5 kVrms,而兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器間的內(nèi)部功能隔離允許工作電壓高達(dá)1500VDC.該驅(qū)動(dòng)器可配置成...
電源管理SiCMOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器On SemiNCP51561SiCMOSFET 2021-07-28

賦能未來(lái)，勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiCMOSFET十周年文章

全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官John Palmour 博士發(fā)表了以《賦能未來(lái)，勇往直前：SiC MOSFET問(wèn)世10周年的思索》為題的文章。 John Palmour 博士, 科銳聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官近二十年研發(fā)路，厚積薄發(fā) 在2011年，在經(jīng)過(guò)了將近二十年的研發(fā)...
科銳 2021-03-17

[原創(chuàng)]TI UCC5870－Q1單路高效SiCMOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)方案

TI公司的UCC5870-Q1是單路高效高度可配置的單路柵極驅(qū)動(dòng)器,主要用于電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力汽車(chē)的大功率SiCMOSFET和IGBT的柵極驅(qū)動(dòng).功率晶體管的保護(hù)如基于并聯(lián)電阻的過(guò)流,基于NTC的超溫和DESAT檢測(cè),包括可選擇軟關(guān)斷或兩級(jí)斷開(kāi).為了進(jìn)一步降低應(yīng)用尺寸,UCC5870-Q1集成了開(kāi)關(guān)時(shí)的4A有源米勒箝位和驅(qū)動(dòng)器未加...
汽車(chē)電子電動(dòng)汽車(chē)EV／HEVSiCMOSFETIGBTTIUCC5870－Q1 2020-11-20

Power Integrations宣布旗下適用于SiCMOSFET的SCALE－iDriver現(xiàn)已通過(guò)AEC－Q100汽車(chē)級(jí)認(rèn)證

外形緊湊、堅(jiān)固耐用的隔離型SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)器集成了有源鉗位并且短路關(guān)斷時(shí)間<2µs深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門(mén)極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日宣布，其適合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率單通道門(mén)極驅(qū)動(dòng)器SIC118xKQ SCALE-iDriver™現(xiàn)已通過(guò)AEC-Q100汽車(chē)級(jí)認(rèn)證。新品...
Power Integrations隔離型SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)器SIC118xKQ SCALE－iDr... 2020-03-18

滿(mǎn)足新能源汽車(chē)應(yīng)用的SiCMOSFET系列產(chǎn)品

世紀(jì)金光是國(guó)內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級(jí)碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應(yīng)用，形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系，正在大力進(jìn)行垂直整合，全面推進(jìn)從產(chǎn)業(yè)源頭到末端...
碳化硅單晶襯底片碳化硅功率器件慕尼黑上海電子展 2019-03-12

--BBS主題帖: 一位德國(guó)老專(zhuān)家眼中的功率器件技術(shù)之美

[font="][size=8.5pt]“[/size][/font][font=Arial][size=8.5pt]抱歉我不會(huì)講中文，我的英文也不是很標(biāo)準(zhǔn)，但是我相信臺(tái)下的同學(xué)們的能力，應(yīng)該聽(tīng)得懂接下來(lái)我要講的內(nèi)容。[/size][/font][font="][size=8.5pt]”5[/size][/font][font=Arial][size=8.5pt]月[/size][/font][font="][size=8.5...
2014-07-06

--BBS主題帖: GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)未來(lái)十年將以18%的速度穩(wěn)增

[font=Arial, 宋體]在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。　　　　據(jù)有關(guān)報(bào)告稱(chēng)，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè)，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售...
2013-05-26

--BBS主題帖: 我國(guó)電力電子技術(shù)與國(guó)外的差距

　我國(guó)電力電子技術(shù)與國(guó)外的差距　　(1)電力電子器件方面　　晶閘管類(lèi)器件產(chǎn)業(yè)成熟，種類(lèi)齊全，質(zhì)量可靠，可滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)的需求，6寸電控[url=http://www.p-e-china.com/][color=#000000]晶閘管[/color][/url]技術(shù)水平居世界前列。國(guó)內(nèi)生產(chǎn)晶閘管類(lèi)器件的廠家不少，但與發(fā)達(dá)國(guó)家有競(jìng)爭(zhēng)力的廠家不多。 ...
2013-01-24

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