安森美半導體推出一系列新的高性能器件進一步加強了低壓降(LDO)線性穩壓器產品陣容,以支持雙倍數據速率(DDR)內存。NCP51200、 NCP51400、 NCP51510和NCP51199采用內置功率MOSFET,針對在電腦、數據網絡、工業和手持消費市場等廣泛應用中的特定應用如SDRAM DIMM內存、伺服器、路由器、智能手機、平板電... (來源:新品頻道)
安森美半導體雙倍數據速率終端穩壓器支持雙倍數據速率內存低壓降線性穩壓器 2015-5-28 11:03