據重慶高新區融媒體中心消息，7月28日，8個集成電路領域頭部企業項目集中簽約重慶高新區，項目總投資額達42.5億元。 簽約項目包含華潤封測擴能項目、東微電子半導體設備西南總部項目、芯耀輝半導體國產先進工藝IP研發中心項目、斯達半導體IPM模塊制造項目、芯聯芯集成電路公共設計服務平臺項目、積分... （來源：新聞頻道）
華潤封測集成電路重慶 2025-7-29 14:33
2025慕尼黑上海電子展（electronica China）將于4月15-17日在上海新國際博覽中心舉辦。展會同期將舉行精彩紛呈的“創新論壇”，緊緊把握電動車、汽車電子、人形機器人、三代半、嵌入式系統、人工智能、物聯網、儲能、智能制造、醫療電子、連接器、電機驅動、無人機等熱門應用市場與高速發展行... （來源：新聞頻道）
2025慕尼黑上海電子展人工智能物聯網 2025-2-20 10:06
同步研發能力是汽車零部件行業核心競爭力的重要體現，新能源汽車研發生產周期相比傳統燃油車明顯縮短，因此整車廠商或一級零部件供應商要求上游供應商能夠參與產品前期設計開發階段，充分理解產品設計的理念和需求，并根據其計劃和時間節點配合產品開發進度，及時同步推出設計方案和最終產品。 ... （來源：新聞頻道）
黃山谷捷汽車零部件 2024-7-3 17:21
作者：北京華興萬邦管理咨詢有限公司商瑞馬華摘要：盡管相較2022年有所下滑，但2023年最賺錢的十家國內芯片設計上市公司的凈利潤總額超過了159家A股和港股上市內地半導體企業利潤總額的55%，但是其市值之和僅占159家上市半導體公司總市值的20%左右。他們還有什么表現？隨著卓勝微（603501）和中電華大科... （來源：新聞頻道）
Follow the Money 芯片設計 2024-5-8 09:15
摩爾定律已逼近物理極限。“卷不過”就換賽道，寬禁帶半導體成為后摩爾時代半導體發展的“蹊徑”之一，而在這一領域，國內企業有望實現彎道超車。寬禁帶半導體是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導體材料，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表，也稱“第三代半導體”。采用SiC、GaN材料制備的半導體器件不... （來源：技術文章頻道）
寬禁帶半導體 SiC 2022-10-20 10:12
金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET最早出現在大概上世紀60年代，首先出現在模擬電路的應用。功率MOSFET在上世紀80年代開始興... （來源：技術文章頻道）
MOSFET 效應晶體管 2022-9-27 14:13
憑借優異的性能，第三代半導體在高溫、高耐壓等多領域實現應用，特別是新能源汽車領域，已成為SiC目前最大的下游應用市場。SiC在車用領域的主逆變器、車載充電器、快速充電器、光伏逆變器等場景中均有廣泛應用空間。同時車用SiC更是電驅系統向高電壓升級的核心器件，解決電動汽車里程焦慮和充電速度慢兩... （來源：新聞頻道）
車用SiC功率器件 2022-7-28 10:17
隨著新能源汽車的快速發展，IGBT （絕緣柵雙極型晶體管）的用量隨之激增，但上游產業鏈擴產速度明顯跟不上市場需求，在今年 2 月，行業即發出預警，認為 IGBT 或將成為今年下半年汽車生產的瓶頸。 事實上，車規級 IGBT 的市場缺貨情況遠比此前預估要嚴峻。時隔 2 個月，供應鏈消息認為，目前 ... （來源：新聞頻道）
IGBT 2022-5-5 14:03
在過去的幾十年中，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）技術都呈現快速發展，并且正在被各行業所接受，有著廣闊的市場前景。第一個商用 SiC 器件是德國英飛凌公司2001年推出的肖特基二極管。預計到2026 年，工業市場相關需求有望超過 40 億美元。GaN 則是相對較新，2010 年首次亮相，當時美國 EPC 推出了其超... （來源：技術文章頻道）
SiCGaN車載充電器 2021-11-19 13:59
功率器件是新能源車半導體的核心組成，是價值量提升的關鍵賽道。隨著新能源汽車的發展，對功率器件需求量日益增加，成為功率半導體器件新的增長點。當下最受追捧的功率器件當屬IGBT、SiC和GaN，尤其是第三代半導體的熱度一直不減。從項目立項、募資建廠再到設備引入、投產，小小一個功率器件的每一步都... （來源：新聞頻道）
功率器件新能源車 2021-7-2 10:16
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