作者:Gweneivere Lasay,產品應用工程師摘要假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件,其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關頻率下以高增益運行。然而,如果柵極和漏極偏置時序不正確,漏極溝道的高電導率可能會導致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及... (來源:技術文章頻道)
pHEMT功率放大器有源偏置解決方案 2023-11-13 16:02