全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產品非常適用于功率密度日益提高的服務器電... （來源：新品頻道）
ROHMSiC MOSFET 2025-10-16 17:02
近日，國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺（簡稱"國創中心"）在氮化鎵/碳化硅集成領域取得重大技術突破，成功研制出商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質量氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構外延。這一突破性成果標志著我國在第三代半導體材料領域取得重要進展，為相關產業鏈上市公司帶來新的... （來源：新聞頻道）
第三代半導體氮化稼碳化硅 2025-10-16 11:02
據“天岳先進”官方微信公眾號消息，8月22日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝電子元件”）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）就SiC功率半導體用襯底達成基本合作協議。雙方將在技術協作與商業合作兩方面展開深入合作，具體包括提... （來源：新聞頻道）
SiC車載用SiC器件SiC襯底 2025-10-15 15:11
業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice（股票代碼 603986）與納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）共同設立的“數字能源聯合實驗室”在合肥正式揭牌。該實驗室將GD32 MCU領域的深厚積累，與納微半導體在高頻、高速、高集成度氮化鎵以及擁有溝槽輔助平面技術的GeneSiC碳化硅領域的產... （來源：新聞頻道）
兆易創新納微半導體能源電源管理 2025-10-13 14:11
在追求高效率、高功率密度和高可靠性的現代電力電子世界中，碳化硅技術正以前所未有的速度取代傳統硅基器件。魯光電子推出的LGE3D30120H，便是一款采用標準TO-247AC封裝的碳化硅肖特基二極管，它以其卓越的性能，成為中大功率應用領域升級換代的理想選擇。 一、LGE3D30120H主要參數 核心... （來源：新品頻道）
魯光LGE3D30120H碳化硅二極管 2025-10-13 11:32
第四屆中國電力電子與能量轉換大會暨展覽會、中國電源學會第二十八屆學術年會（CPEEC&CPSSC 2025）將于2025年11月7-10日在深圳國際會展中心18&20號館舉辦。作為中國電力電子、電源屆參會人數最多、參展規模最大的盛會，今年預計將有2500+參會注冊代表和4000+人次專業觀眾蒞臨現場。 CPEEC&a... （來源：新聞頻道）
CPEEC CPSSC 2025 2025-9-30 10:31
通過一系列參考設計和產品演示，Vishay將重點展示在人工智能服務器、智能座艙、車載計算平臺等領域廣泛的半導體與無源技術產品組合 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，公司在PCIM Asia 2025上展示其最新的半導體和無源電子技術。歡迎各位觀眾光臨C4... （來源：新聞頻道）
Vishay人工智能電動汽車 2025-9-24 14:03
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，將于9月24日～26日參加上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會（以下簡稱PCIM Asia Shanghai）。屆時，羅姆將展示其在工業設備和汽車領域中卓越的SiC和GaN產品和技術。同時，羅姆還將在現場舉辦技術研討會，分享其最新的電力電子解決... （來源：新聞頻道）
羅姆能源 2025-9-11 16:36
今日，南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出工業級大功率 LLC SR 控制器 SC3530/SC3531，適用于 AI 服務器電源及大功率工業電源。SC3530/SC3531 性能優越，可直接替換整流二極管，無需外部控制即可實現自適應通斷，支持雙通道驅動及納秒級快速關斷，滿足 AI 服務器領域 CoC V5 和 DoE VI 最高能效標準... （來源：新品頻道）
南芯科技AI服務器電源LLC SR控制器 2025-9-9 15:02
據“天岳先進”官方微信公眾號消息，8月22日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱"東芝電子元件"）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱"天岳先進"）就天岳先進開發制造的SiC功率半導體用襯底達成基本協議，雙方將開展以下合作：針對SiC功率半導體特性提升與... （來源：新聞頻道）
天岳先進東芝電子 2025-8-25 11:12
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