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鑒于對能源可持續性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領域。市面上有一些功率高達 2kW 且帶有集成式儲能系統的微型逆變器。當系統需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統的串式逆變器或混合串式逆變器。 圖 1 是混合串式逆變器的方框圖。常... （來源：技術文章頻道）
TI GaN 逆變器 儲能系統 2025-7-11 14:01
作者：Bart De Cock，安森美技術營銷 隨著車輛電子設備日益復雜，為系統中的所有元件提供正確且充分的保護對于安全性和可靠性至關重要。整車廠商逐漸摒棄傳統的刀片式保險絲，轉而青睞電子保險絲 (eFuse) 帶來的優勢。 本文將介紹如何以類似于傳統保險絲的方式操作電子保險絲，并對未來通過編程使... （來源：技術文章頻道）
eFuse 2025-5-13 11:30
為推動下一代固態配電系統的發展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出了新型CoolSiC™ JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性，使其成為先進固態保護與配電系統的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模... （來源：新品頻道）
英飛凌CoolSiC JFET 2025-5-6 16:32
大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載，并聯器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。本白皮書將探討IGBT并聯的技術要點... （來源：技術文章頻道）
IGBT 并聯設計 2025-4-21 10:03
即便是不起眼的保險絲，也不可避免地受到技術進步的沖擊，以往簡單的玻璃管保險絲正逐步被功能更強大、更先進的智能電子保險絲(eFuse)所取代。 電子保險絲與傳統保險絲的區別 盡管變化很大，但保險絲的基本功能始終如一。保險絲始終都是保護電路免受過電流影響的保護器件，無論過電流是數百安培，... （來源：技術文章頻道）
電子保險絲 安森美 電流保護 2025-3-21 14:00
目前，許多工業應用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發展，實現這一目標的方法之一是提高直流母線電壓。針對這一市場趨勢，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于 2024年9月推出CoolSiC™肖特基二極管2000 V G5產品系列，這... （來源：新品頻道）
英飛凌CoolSiC 肖特基二極管2000 V G5系列 2025-3-17 09:10
作者：陳子穎前言 功率半導體熱設計是實現IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。有了熱阻... （來源：技術文章頻道）
功率器件 熱設計IGBT 2024-12-6 10:43
前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯系實際，比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫... （來源：技術文章頻道）
功率器件 IGBT 英飛凌 2024-12-4 10:36
作者：陳子穎前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。確定熱阻抗曲線測... （來源：技術文章頻道）
功率器件 英飛凌 IGBT 2024-12-4 10:19
作者：陳子穎，來源：英飛凌工業半導體前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測... （來源：技術文章頻道）
功率器件 熱設計 2024-11-26 10:21
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