前往首頁 聯系我們 網站地圖
基于多個高功率應用案例，我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢，兩者在10kW至50kW功率范圍內存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個區間，但分立MOSFET卻能帶來獨特優勢：設計自由度更高和更豐富的產品組合。當單個 MOSFET 無法滿足功率需求時，再并聯一顆MOSFET即可解決問題。 然而，功率... （來源：技術文章頻道）
意法半導體 SiC MOSFET 并聯 2025-6-20 10:30
大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載，并聯器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。本白皮書將探討IGBT并聯的技術要點... （來源：技術文章頻道）
IGBT 并聯設計 2025-4-21 10:03
本文作者：Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數和并聯振蕩的分析，以及設計指南。本文... （來源：技術文章頻道）
SiC JFET并聯示波器 2025-3-5 14:06
本文作者：Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數和并聯振蕩的分析，以及設計指南。... （來源：技術文章頻道）
SiC JFET 安森美Al并聯設計 2025-2-28 14:10
三菱電機株式會社近日（2025年1月14日）宣布，將于2月15日起開始提供新型工業用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品，適用于太陽能和其他可再生能源發電系統。該模塊采用第8代絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片，有助于降低太陽能發電系統、儲能電池等電源系統中逆變器的功率損耗，提高逆變器的輸出功率。 ... （來源：新品頻道）
三菱電機 第8代IGBT模塊 2025-1-20 10:43
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出新款符合汽車規格*的 36 通道線性 LED 電流驅動器。AL5887Q 具備驅動 RGB 配置及單獨 LED 的能力，可幫助設計人員在內外部燈具中實現多樣的動態照明模式與顏色深度，從而滿足OEM廠商的品牌差異化需求。這兩種控制功能簡化了過去復雜的 LED 式模塊設計，并... （來源：新品頻道）
Diodes 公司 LED 電流驅動器 2025-1-9 10:36
在半導體領域，電源管理是一個很“卷”的市場，這是不爭的事實。一方面，眾多半導體廠商都在追求更高的效率、更緊湊的封裝、更高的能量密度之路上狂奔，力求打造出更為“極致”的產品；而另一方面，傳統硅（Si）基器件，已經越來越接近性能的天花板，從其身上可以榨取的附加值也越來越少。在這樣的大背... （來源：技術文章頻道）
電源管理SiC技術 Nexperia 2024-9-5 10:35
作者：安森美公司換電與充電并存在電動車發展的過程當中，充電和換電是兩個同時存在的方案。車載充電OBC可以通過兩相或三相電給汽車充電，但其無法滿足快充的需求。現在充電樁發展迅速，已經有600kW的超充出現，充電速度越來越逼近換電速度，但對電網壓力很大，還需要時間普及。換電則采取另外的方式，... （來源：技術文章頻道）
碳化硅模塊 換電站快充電路設計 安森美 2024-7-8 10:38
意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優值系數 (FoM) 比上一代同類產品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進技術，引入氧化物填充溝槽工藝，集極低的導通損耗和低柵極電荷于一身，實現高效的開關性能。因此，STL120N10... （來源：新品頻道）
意法半導體STL120N10F8STripFET F8晶體管 2023-5-24 15:38
近年來，能夠高效轉換電力的功率半導體作為促進實現低碳社會的關鍵器件而受到矚目，對其需求也一直在增加并呈現多樣化。尤其對于由可再生能源驅動的電力系統來說，由于需要更高的電能轉換效率，系統工作電壓不斷提高。事實上，在系統中使用電力變換器額定電壓達到DC1500V，這已經是歐洲低電壓指令*1的上... （來源：新品頻道）
三菱電機IGBT 2022-4-22 16:42
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到16條【并聯設計】相關的全部。
查看關鍵詞的分類頻道
中電網官方微博