隨著半導體技術的提升,人們逐漸將目標轉向了尋找Si以外新一代的半導體材料。在這個過程中,GaN近年來作為一個高頻詞匯,進入了人們的視野。 GaN和SiC同屬于第三代高大禁帶寬度的半導體材料的代表,由于禁帶寬度大、導熱率高等特性,利用GaN人們可以獲得具有更大帶寬、更高放大器增益、更高能效、尺... (來源:新聞頻道)
GaN FET功率密度電源磁性器件 2020-11-20 15:38
德州儀器(TI)今天推出了面向汽車和工業應用的下一代650V和600V氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET),進一步豐富拓展了其高壓電源管理產品線。與現有解決方案相比,新的GaN FET系列采用快速切換的2.2 MHz集成柵極驅動器,可幫助工程師提供兩倍的功率密度和高達99%的效率,并將電源磁性器件的尺寸減少59... (來源:新聞頻道)
TI GaN FET 2020-11-10 16:28