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近日，中國科學院上海微系統所聯合寧波大學研究團隊在《Advanced Functional Materials》發表研究，提出以芳綸膜為前驅體通過高溫石墨化工藝制備低缺陷、大晶粒、高取向的雙向高導熱石墨膜，在膜厚度達到 40 微米的情況下實現面內熱導率 Kin 達到 1754W/m·K，面外熱導率 Kout 突破 14.2W/m&midd... （來源：技術文章頻道）
石墨膜上海微系統所 2025-6-23 12:06
本文將帶您深入探討設計工程師在熱設計過程中需要關注的一些關鍵問題。具體來說，我們將聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實際應用中所面臨的相關熱問題。針對可靠性的熱設計熱設計是一個復雜的課題，但其中也有一些基礎原理值得深入探討。首先讓我們回顧一下在印刷電路板（PCB）上采用塑封半導體時的... （來源：技術文章頻道）
Qorvo 關鍵密碼 大功率氮化鎵（GaN）器件 2024-6-11 10:08
作者：David Schnaufer 來源：Qorvo半導體熱設計是一個至關重要的課題，其中的各種規則、縮略語和復雜方程時常讓人感到它似乎是個深不可測的神秘領域；但其對于集成電路設計的意義卻不容忽視——畢竟，溫度是導致大多數半導體在現實應用中失效的最大環境因素。元件的預期壽命會隨著溫度的每一度升... （來源：技術文章頻道）
熱設計 GaN 集成電路設計 2024-4-28 10:35
世界上最小的晶體管 硅材料的加工極限一般認為是10納米線寬。受物理原理的制約，小于10納米后不太可能生產出性能穩定、集成度更高的產品。然而英國科學家發明的新型晶體管將延長摩爾定律的壽命。該晶體管有望為研制新型超高速計算機芯片帶來突破。值得一提的... （來源：電子百科頻道）
石墨烯晶體管 2011-12-30 16:42
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