前往首頁 聯系我們 網站地圖
飛思卡爾半導體(NYSE:FSL)日前宣布推出用于蜂窩基站的第一氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管。新A2G22S160-01S提供的30瓦和40瓦的放大器為無線基礎設施應用的卓越性能,并表示第一的是什么計劃成為Airfast家庭氮化鎵晶體管的廣泛產品組合的手機市場。作為市場領導者,射頻功率晶體管,飛思卡爾加入氮化鎵... (來源:新品頻道)
飛思卡爾半導體蜂窩基站第一氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管 2015-5-20 14:43
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099