日前,三星宣布推出業界首款第三代HBM2E內存,新的HBM2E內存由8顆16Gb的DRAM顆粒堆疊而成,單個封裝可以達到16GB的總容量,并且其擁有高達3.2Gbps的傳輸速率。 新型Flashbolt準備提供前一代8GB HBM2“ Aquabolt”容量的兩倍,還可以顯著提高性能和電源效率,從而顯著改善下一代計算系統。通過在緩沖... (來源:新品頻道)
三星 第三代HBM2E內存 2020-2-6 15:13