納芯微正式推出車規級隔離半橋驅動芯片NSI6602MxEx系列,該系列在納芯微明星產品NSI6602基礎上,集成了米勒鉗位功能,同時兼具高隔離電壓、低延時、死區可配、欠壓閾值可選等特點,適用于驅動SiC、IGBT等器件,可廣泛應用于新能源汽車OBC、DC/DC、主動懸架等場景。 NSI6602MxEx與NSI6... (來源:新品頻道)
納芯微NSI6602MxEx驅動芯片半橋 2025-7-14 15:59
過電壓從何而來? 罪魁禍首很清楚,很容易識別:它是寄生電感 L滲漏,在傳輸時間內不會通過續流二極管 D2 消磁。其中儲存的能量(1/2 升滲漏我2) 轉移到現有的寄生電容并在那里產生過電壓 (1/2 CparasiticV2 版本).如果沒有寄生電容,電壓將上升到無窮大。反激式轉換器中產生的 MOSFET 電壓(... (來源:技術文章頻道)
開關晶體管 2025-2-14 11:03
高壓柵極驅動器注意事項碳化硅(SiC) 電源模塊為高壓應用的傳統硅 (Si) 器件提供了極具吸引力的替代方案。 SiC 材料具有高擊穿電壓和在高開關頻率下工作的能力,有助于大幅提高功率密度。這一改進不僅提高了電力電子系統的整體效率,而且還通過降低復雜性來簡化其設計。柵極驅動對于提高功率器件的高速開... (來源:技術文章頻道)
參數識別 電源模塊 2024-10-15 11:15
當晶體管從 OFF 切換到 ON 或從 ON 切換到 OFF 時,晶體管將跨越其線性區域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨導非常高,漏極和柵極之間的電容將成倍增加。因此,驅動器在跨越線性區域時將承受嚴重負載,這會導致柵極電壓保持在穩定狀態。因此,除非驅動器可以提供幾安培的電流,否則開關速度將大大減慢。如此... (來源:技術文章頻道)
開關功率晶體管 2024-9-23 10:30
Si MOSFET 正常工作的驅動電路。關于制造商的應用說明和電路圖的一般性說明:除少數例外,這些都不適合任何系列生產。基本上,驅動電路必須對柵極輸入電容進行充電和放電,但這不是恒定的。當晶體管從 OFF 切換到 ON 或從 ON 切換到 OFF 時,晶體管將跨越其線性區域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨導非常高... (來源:技術文章頻道)
開關功率晶體管 2024-7-19 11:19
致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布,其旗下世平推出基于安森美(onsemi)NCD83591智能柵極驅動芯片的100W車內空調循環扇方案。 圖示1-大聯大世平基于onsemi產品的100W車內空調循環扇方案的展示板圖 在全球能源議題持續升溫以及電動車市場快速擴張的趨勢下,汽車制造商... (來源:解決方案頻道)
大聯大世平集團onsemiNCD83591智能柵極驅動芯片車內空調循環扇 2024-5-15 15:15
前言半導體產品老化是一個自然現象,在電子應用中,基于環境、自然等因素,半導體在經過一段時間連續工作之后,其功能會逐漸喪失,這被稱為功能失效。半導體功能失效主要包括:腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中,電遷移引發的失效機理最為突出。技術型授權代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對... (來源:技術文章頻道)
電遷移 半導體失效 Black模型 MTTF 2024-2-28 10:26
MOS管具有三個內在的寄生電容:Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規格書中可以體現(規格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數代替)。MOS管之所以存在米勒效應,以及GS之間要并電阻,其源頭都在于這三個寄生電容。 MOS管內部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數 1.MOS管的米勒效應 MOS管驅動之理想與現實... (來源:技術文章頻道)
MOS管 電阻 寄生電容 2023-12-4 10:36
摘要二十多年來,電機電能效率一直是全球能源監管機構關注的重點。這是全球共同努力的一部分,旨在通過增加 電能利用率以及使用可再生源發電,達到最大程度減少 碳排放的目的。早期的電機效率法規是自愿的,但很快 這些法規就變成強制性的了,并且每5至10年就會提高最 低能效水平要求。鼠籠式感應電機(SQIM)... (來源:技術文章頻道)
工業電機驅動柵極驅動電流反饋信號隔離自動化 2023-9-1 16:25
作者: 趙佳搞電力電子的同學想必經常被“米勒效應”這個詞困擾。米勒效應增加開關延時不說,還可能引起寄生導通,增加器件損耗。那么米勒效應是如何產生的,我們又該如何應對呢?我們先來看IGBT開通時的典型波形: 上圖中,綠色的波形是GE電壓,藍色的波形是CE電壓,紅色的波形是集電極電流IC... (來源:技術文章頻道)
IGBT 功率器件 2023-3-8 10:52