電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能... （來源：新聞頻道）
碳化硅Cascode JFET碳化硅器件氮化鎵 2025-10-15 13:15
主驅逆變器解決方案將采用安森美的下一代 EliteSiC，使插電式混合動力電動汽車實現更長的行駛里程和更高的可靠性 安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)宣布擴大與領先的驅動技術公司舍弗勒（Schaeffler）合作，雙方在一項新的設計中標項目中采用安森美的下一代碳化硅 MOSFET EliteSi... （來源：新聞頻道）
安森美舍弗勒EliteSiC 2025-7-28 15:33
在工業領域快速發展的當下，安森美憑借其在功率器件、無線連接芯片及智能功率模塊等方面的技術優勢，積極應對行業需求與挑戰。近日，中電網采訪了安森美電源方案事業部業務拓展 Sean Gao 和模擬與混合信號事業部業務拓展高級經理 Henry Yang，圍繞公司核心技術、產品應用及市場布局等方面展開深入討論。... （來源：新聞頻道）
功率器件無線連接工業自動化 2025-7-17 16:23
鑒于對能源可持續性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領域。市面上有一些功率高達 2kW 且帶有集成式儲能系統的微型逆變器。當系統需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統的串式逆變器或混合串式逆變器。 圖 1 是混合串式逆變器的方框圖。常... （來源：技術文章頻道）
TI GaN 逆變器 儲能系統 2025-7-11 14:01
作者：高天維，Nexperia IGBT 產品線應用工程師在當前快速發展的消費電子市場中，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種核心電子元器件，憑借其卓越的開關性能、低導通損耗和良好的熱管理能力，成為現代家電技術的重要組成部分。面對家電行業對性能與可靠性要求的日益增長以及用戶對能效的高度關注，安世半... （來源：技術文章頻道）
IGBT技術電機拖動技術 2025-4-7 10:39
作者：Srikesh Pulluri，產品應用工程師摘要半橋拓撲結構廣泛用于各種商業和工業應用的電源轉換器件中。這種開關模式配置的核心是柵極驅動器IC，其主要功能是使用脈寬調制信號向高端和低端MOSFET功率開關提供干凈的電平轉換信號。本文重點介紹了工程師在為應用選擇柵極驅動器IC時應考慮的關鍵因素。除了... （來源：技術文章頻道）
柵極驅動器 IC半橋拓撲電源轉換 2025-3-17 14:03
作者：Srikesh Pulluri，產品應用工程師摘要 半橋拓撲結構廣泛用于各種商業和工業應用的電源轉換器件中。這種開關模式配置的核心是柵極驅動器IC，其主要功能是使用脈寬調制信號向高端和低端MOSFET功率開關提供干凈的電平轉換信號。本文重點介紹了工程師在為應用選擇柵極驅動器IC時應考慮的關鍵因素。除... （來源：技術文章頻道）
半橋柵極驅動器柵極驅動器IC電源轉換器 2025-3-13 15:23
專注于推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 代理商™貿澤電子 (Mouser Electronics) 貿澤宣布與NXP Semiconductors合作推出全新電子書，探討工業和汽車等系統的電氣化對于電機控制技術進步和創新的高依賴度。高效的電機控制系統對于實現出色的電動汽車 (EV) 性能至關重要。NXP的新電子書展示了設計工... （來源：新聞頻道）
貿澤電子NXP全新電子書電動汽車電機控制 2025-3-11 16:05
ICeGaN HEMT 和IGBT 的并聯組合降低了成本、實現高效率無晶圓廠環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環保的電子產品非常易于設計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN® 解決方案使 CGD 利用其 ... （來源：新聞頻道）
CGDGAN電動汽車逆變器 2025-3-11 14:30
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碳化硅Cascode JFET晶體管硅到碳化硅 2025-3-11 10:26
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