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MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文縮寫，平面型器件結構，按照導電溝道的不同可以分為NMOS和PMOS器件。MOS器件基于表面感應的原理，是利用垂直的柵壓VGS實現對水平IDS的控制。它是多子（多數載流子）器件。用跨導描述其放大能力。典型的鋁柵MOS器件的平面和剖面結構如圖所示。... （來源：電子百科頻道）
N溝MOSFET 2010-11-29 16:27
根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。耗盡型是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。 耗盡型MOS場效應管，是在制造過程中，預先在SiO2絕緣層中摻入大量的正離子，因此，在UGS=0時，這些正離子產生的電場也能在P型襯底... （來源：電子百科頻道）
耗盡型MOS晶體管 2010-11-29 15:08
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