<menu id="w4u8w"></menu>
前往首頁 聯(lián)系我們 網(wǎng)站地圖
單器件雙向控制，開啟無限可能 作者：Dr. Kennith Kin Leong, Lead Principal, Product Definition and Concept Engineer, High-Voltage GaN Bidirectional Switch at Infineon Technologies. 校對：宋清亮英飛凌消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)市場總監(jiān) 電力電子技術(shù)在過去幾十年間經(jīng)歷了巨... （來源：技術(shù)文章頻道）
氮化鎵開關(guān)電力電子 2025-7-10 13:13
襯底調(diào)制效應(yīng)義稱體效應(yīng)或背柵效應(yīng)。在前節(jié)的分析中，是將源極與襯底短接在一起，使VBS=0。當(dāng)源極與襯底的電位不相等時，會對MOS管的性能產(chǎn)生影響。 在CMOS集成電路中，為使器件相互之間處于隔離狀態(tài)，襯底與各管的源漏區(qū)之間的PN結(jié)均應(yīng)處于反偏。一般將NMOS管的P型襯底... （來源：電子百科頻道）
襯底調(diào)制效應(yīng)背柵效應(yīng)MOS管 2016-6-21 10:13
中電網(wǎng) 中國電子行業(yè)研發(fā)工程師一站式服務(wù)平臺
關(guān)于中電網(wǎng) 廣告招商 聯(lián)系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網(wǎng)導(dǎo)航 手機(jī)中電網(wǎng) 中電網(wǎng)官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網(wǎng) 版權(quán)所有 京ICP備19016262號-2 京公網(wǎng)安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到2條【背柵效應(yīng)】相關(guān)的全部。
查看關(guān)鍵詞的分類頻道
中電網(wǎng)官方微博