至信微電子最新推出的ED3封裝2000V/600A高壓SiC MOSFET功率模塊,采用第三代SiC MOSFET芯片技術(shù),集成了SiC二極管,在高溫環(huán)境下表現(xiàn)出卓越的導(dǎo)通電阻RDS(on)與二極管正向壓降(VSD)。該模塊具備更快的開關(guān)響應(yīng)、更高的工作效率、更優(yōu)的系統(tǒng)可靠性以及更出色的功率轉(zhuǎn)換效率,廣泛適用于高頻應(yīng)用場景,并... (來源:新品頻道)
至信微電子ED3MOSFET 2025-9-15 11:10
至信微碳化硅(SiC)技術(shù)的高性能芯片,核心參數(shù)如下:性能優(yōu)勢正向電阻溫漂特性出色,電磁優(yōu)化設(shè)計(jì)輸入電阻更小、門極電荷更低器件電容低(輸出、反向傳輸電容行業(yè)領(lǐng)先)耐浪涌和短路能力超強(qiáng)體二極管性能優(yōu)異(低正向壓降、低反向恢復(fù)電荷)工作溫度可達(dá) 175℃且保持常閉穩(wěn)定應(yīng)用價(jià)值與商用驅(qū)動器兼容... (來源:新品頻道)
至信微電子碳化硅(SiC)技術(shù) 2025-4-22 09:18
至信微碳化硅(SiC)高性能模塊,采用SOT-227封裝形式,單顆芯片可承載高達(dá)266A的電流。其核心參數(shù)如下: 產(chǎn)品亮點(diǎn) 高耐壓與大電流 VDS = 1200V,ID = 266A(TC=25℃) 單芯片可承載266A電流。 低導(dǎo)通電阻 RDS(on).typ = 7.6mΩ@VGS=18V,顯著降低能耗 高速開關(guān) 低電容設(shè)計(jì),支持高頻開關(guān),減少... (來源:新品頻道)
至信微SOT-227模塊 2025-4-8 09:55
在電動汽車快充、工業(yè)電源及可再生能源等高電壓領(lǐng)域,高效、緊湊、可靠的功率模塊始終是技術(shù)突破的核心。至信微電子正式推出EASY 2B SMC300HB120E2A1碳化硅功率模塊,以行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)規(guī)格與創(chuàng)新設(shè)計(jì),重新定義高壓高頻應(yīng)用的性能標(biāo)準(zhǔn)。 五大革新 極致功率密度 1200V SiC MOSFET+低電感設(shè)計(jì) 300A 持... (來源:新品頻道)
至信微電子碳化硅功率模塊 2025-3-31 09:58
近日,國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅芯片設(shè)計(jì)公司深圳市至信微電子有限公司宣布完成數(shù)千萬元天使+輪融資,本輪融資由深圳高新投領(lǐng)投,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金前海揚(yáng)子江基金,思脈產(chǎn)融以及老股東金鼎資本、太和資本參投。本輪融資資金將用于加速公司產(chǎn)品研發(fā)、團(tuán)隊(duì)擴(kuò)建以及市場拓展等。深圳至信微電子有限公司成立于2021年,... (來源:新聞?lì)l道)
碳化硅芯片至信微電子 2023-2-15 15:05