前往首頁 聯系我們 網站地圖
至信微電子最新推出的ED3封裝2000V/600A高壓SiC MOSFET功率模塊，采用第三代SiC MOSFET芯片技術，集成了SiC二極管，在高溫環境下表現出卓越的導通電阻RDS(on)與二極管正向壓降(VSD)。該模塊具備更快的開關響應、更高的工作效率、更優的系統可靠性以及更出色的功率轉換效率，廣泛適用于高頻應用場景，并... （來源：新品頻道）
至信微電子ED3MOSFET 2025-9-15 11:10
至信微碳化硅（SiC）技術的高性能芯片，核心參數如下：性能優勢正向電阻溫漂特性出色，電磁優化設計輸入電阻更小、門極電荷更低器件電容低（輸出、反向傳輸電容行業領先）耐浪涌和短路能力超強體二極管性能優異（低正向壓降、低反向恢復電荷）工作溫度可達 175℃且保持常閉穩定應用價值與商用驅動器兼容... （來源：新品頻道）
至信微電子碳化硅（SiC）技術 2025-4-22 09:18
至信微碳化硅（SiC）高性能模塊，采用SOT-227封裝形式，單顆芯片可承載高達266A的電流。其核心參數如下： 產品亮點 高耐壓與大電流 VDS = 1200V，ID = 266A（TC=25℃） 單芯片可承載266A電流。 低導通電阻 RDS(on).typ = 7.6mΩ@VGS=18V，顯著降低能耗 高速開關 低電容設計，支持高頻開關，減少... （來源：新品頻道）
至信微SOT－227模塊 2025-4-8 09:55
在電動汽車快充、工業電源及可再生能源等高電壓領域，高效、緊湊、可靠的功率模塊始終是技術突破的核心。至信微電子正式推出EASY 2B SMC300HB120E2A1碳化硅功率模塊，以行業領先的技術規格與創新設計，重新定義高壓高頻應用的性能標準。 五大革新 極致功率密度 1200V SiC MOSFET+低電感設計 300A 持... （來源：新品頻道）
至信微電子碳化硅功率模塊 2025-3-31 09:58
近日，國內領先的碳化硅芯片設計公司深圳市至信微電子有限公司宣布完成數千萬元天使+輪融資，本輪融資由深圳高新投領投，半導體產業基金前海揚子江基金，思脈產融以及老股東金鼎資本、太和資本參投。本輪融資資金將用于加速公司產品研發、團隊擴建以及市場拓展等。深圳至信微電子有限公司成立于2021年，... （來源：新聞頻道）
碳化硅芯片至信微電子 2023-2-15 15:05
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到5條【至信微電子】相關的全部。
查看關鍵詞的分類頻道
中電網官方微博