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邊界遷移模型最早由Strukov等提出，最初用于實現憶阻器具有的電路特性，該模型由位于兩端的金屬電極和中間的摻雜半導體薄膜組成，如圖所示。電極間的半導體薄膜由于基體中載流子濃度不同而分為低電阻的高摻雜濃度區和高電阻的低摻雜濃度區，結構兩端加載的偏壓驅使高、低摻雜濃度區間的邊界發生遷... （來源：電子百科頻道）
邊界遷移 2017-9-12 13:48
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