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碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,具有獨特的物理和電性特性,其能帶間隔是硅的 2.8 倍,絕緣擊穿場強為硅的 5.3 倍,導熱率為硅的 3.3 倍,這些特性使得碳化硅肖特基二極管能夠在高電壓、高頻率和高溫條件下穩定運行,在功率器件領域展現出巨大潛力。 魯晶半導體推出5000V SiC SBD,主要應用在電力... (來源:新品頻道)
魯晶半導體碳化硅肖特基二極管 2025-6-3 15:26
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