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↓在全部中搜索到 889 條關于“BCD”的信息，用時:0.067 sec.

X-FAB推出基于其110nm車規BCD-on-SOI技術的嵌入式數據存儲解決方案

新IP將閃存與EEPROM元件相結合，增強數據保持能力，具備同類最佳的運行可靠性全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布一項非易失性存儲領域的重大創新。該創新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節點平臺，X-FAB可為...
X－FABBCD－on－SOI技術嵌入式數據存儲 2024-12-05

SK啟方半導體推出第四代0.18微米BCD工藝

為提高移動和汽車功率半導體性能提供了解決方案韓國8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導體(SK keyfoundry)今天宣布推出其第四代0.18微米BCD工藝，性能較之前的第三代提升了約20%。借此，SK啟方半導體為提高移動和汽車功率半導體性能提供了解決方案。SK啟方半導體的第四代0.18微米BCD工藝提供高達40V的功率器件...
SK啟方半導體BCD工藝 2024-09-11

SK啟方半導體將提供增強型0．13微米BCD工藝

加速汽車功率半導體業務轉型韓國8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導體(SK keyfoundry)今日宣布，該公司將提供增強型0.13微米BCD工藝，旨在幫助汽車功率無晶圓廠公司設計出高性能的汽車半導體產品。SK啟方半導體的增強型0.13微米BCD工藝符合AEC-Q100的Grade-0標準，即汽車電子元件可靠性測試標準，并被認定為適...
SK啟方半導體BCD工藝 2024-04-26

X－FAB率先向市場推出110納米BCD－on－SOI代工解決方案

新一代針對數字設計占比高的車規級工藝全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理...
X－FABBCD－on－SOI代工解決... 2023-06-02

Tower 半導體發布其最先進第二代 65nm BCD 電源管理平臺

5 月 9 日，Tower 半導體宣布擴展其電源管理平臺，發布其最先進的第二代 65nm BCD，將操作范圍擴大到 24V，并將 RDSON 降低 20%。該公司還在其 180nm BCD 平臺上添加了深溝槽隔離，可將電壓高達 125V 的芯片尺寸降低 40%。新版本滿足了對更高電壓和更高功率 IC 不斷增長的需求，進一步增強了 Tower 在功...
Tower 半導體65nm BCD電源管理 2022-05-11

X-FAB宣布升級其襯底耦合分析工具，將BCD-on-SOI工藝納入其中

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，擴展其SubstrateXtractor工具應用范圍，讓用戶可以借助這一工具檢查不想要的襯底耦合效應。作為全球首家為BCD-on-SOI工藝提供此類分析功能的代工廠，X-FAB將這一最初面向XH018和XP018 180nm Bulk CMOS工藝...
X－FABBCD－on－SOI 2022-04-21

華虹半導體宣布量產90nm BCD工藝：性能高、核心面積小

國產半導體廠商正在一步步追趕國際先進水平，日前華虹半導體宣布，該公司推出的90nm BCD工藝已經在華虹無錫12英寸生產線已實現規模量產。華虹指出，90nm BCD工藝具備性能高、核心面積較小等優勢，擁有更佳的電性參數，并且得益于12英寸制程的穩定性，良率優異，為數字電源、數字音頻功放等芯片應用...
華虹半導體90nm BCD 2021-06-07

華虹半導體12英寸90納米BCD實現規模量產

全球領先的特色工藝純晶圓代工企業——華虹半導體有限公司（“華虹半導體”或“公司”，股份代號：1347.HK）宣布，其90納米BCD工藝憑借高性能指標及較小的芯片面積等優質特色，受到眾多客戶青睞，在華虹無錫12英寸生產線已實現規模量產。華虹半導體的90納米BCD工藝擁有更佳的電性參數，并且得益于12英寸...
BCD華虹半導體 2021-06-03

X－FAB在180nm BCD－on－SOI平臺上新增非易失性存儲器功能

基于公司成熟的SONOS技術，新增的Flash和EEPROM為汽車，醫療和工業領域帶來了許多新的可能性全球領先的模擬/混合信號和專業代工廠商X-FAB Silicon Foundries, 今天宣布在廣泛使用的XT018 BCD-on-SOI平臺上提供基于SONOS的Flash和嵌入式EEPROM。這些非易失性存儲器（NVM）的添加將拓寬更多的應用范圍，在...
X－FABXT018 BCD－on－SOI平...非易失性存儲器（NVM） 2019-10-18

X－FAB宣布對180nm BCD－on－SOI技術平臺進行擴展，推出用于下一代汽車應用的新型高壓器件

全球領先的模擬/混合信號代工廠商X-FAB Silicon Foundries,今天宣布推出針對不斷增長的48V汽車電源系統（48V board net）和電池管理系統芯片市場的新型高壓器件。這些新的互補NMOS/PMOS器件基于X-FAB的XT018 BCD-on-SOI平臺，涵蓋的電壓范圍為70V至125V，具有深溝槽隔離（DTI) 并滿足汽車AEC-Q100 0級標...
X－FABXT018 BCD－on－SOI平...48V汽車電源系統 2019-07-12

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