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應(yīng)用開發(fā)

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↓在全部中搜索到 8 條關(guān)于“EcoSiC”的信息，用時:0.029 sec.

羅姆踐行綠色之路：打造低碳未來的技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品戰(zhàn)略

隨著可持續(xù)發(fā)展和碳中和議題在全球范圍內(nèi)不斷升溫，各大科技企業(yè)紛紛加速綠色轉(zhuǎn)型的步伐。近期羅姆在北京舉辦了媒體交流會，羅姆功率元器件事業(yè)部應(yīng)用戰(zhàn)略室課長水原德健先生詳細(xì)分享了其在ESG事業(yè)以及功率半導(dǎo)體“Power Eco Family”品牌上的最新布局。此次活動以“Electronics for th...
羅姆低碳未來綠色轉(zhuǎn)型功率半導(dǎo)體 2025-02-08

羅姆功率半導(dǎo)體產(chǎn)品概要～關(guān)于“Power Eco Family”～

1.前言近年來，全球耗電量逐年增加，在工業(yè)和交通運輸領(lǐng)域的增長尤為顯著。另外，以化石燃料為基礎(chǔ)的火力發(fā)電和經(jīng)濟活動所產(chǎn)生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成為嚴(yán)重的社會問題。因此，為了實現(xiàn)零碳社會，努力提高能源利用效率并實現(xiàn)碳中和已成為全球共同的目標(biāo)。在這種背景下，羅姆致力于通過...
power功率半導(dǎo)體電源羅姆 2025-01-15

采用自主設(shè)計封裝，絕緣電阻顯著提高！ROHM開發(fā)出支持更高電壓xEV系統(tǒng)的SiC肖特基勢壘二極管

與普通產(chǎn)品相比，可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無需進行樹脂灌封絕緣處理全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）。目前產(chǎn)品陣容中已經(jīng)擁有適用于車載充電器（OBC）等車載設(shè)備應(yīng)用的“...
rohm車載充電器（OBC）SiC肖特基勢壘二極管SCS2xxxNHR 2024-11-13

羅姆即將亮相2024慕尼黑電子展：賦能增長，激發(fā)創(chuàng)新

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的世界領(lǐng)先的電子元件、系統(tǒng)、應(yīng)用和解決方案貿(mào)易展覽會和會議—2024慕尼黑電子展（簡稱electronica2024），展位號為C3-520。羅姆將展示其先進的功率和模擬技術(shù)，旨在提高汽車和工業(yè)應(yīng)用中的功率密度、效率和可靠...
羅姆2024慕尼黑電子展 2024-11-06

科索3.5kW輸出AC－DC電源單元“HFA/HCA系列”采用羅姆的EcoSiC

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆生產(chǎn)的EcoSiC™產(chǎn)品——SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”），被日本先進電源制造商COSEL CO., LTD. （以下簡稱“科索”）生產(chǎn)的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用。強制風(fēng)冷型“HFA系列”和傳導(dǎo)散熱型“HCA系列”均搭載了羅姆的...
科索AC－DC電源單元HFA／HCA系列羅姆EcoSiC 2024-10-30

羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應(yīng)用于吉利集團電動汽車品牌“極氪”3種主力車型

應(yīng)用于主機逆變器，有助于延長續(xù)航里程，提升性能日前，搭載了羅姆（總部位于日本京都市）第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊成功應(yīng)用于浙江吉利控股集團（以下簡稱“吉利”）的電動汽車（以下稱“EV”）品牌“極氪”的“X”、 “009”、 “001”3種車型的主機逆變器上。自2023財年起，這款功率模塊經(jīng)由羅...
羅姆吉利集團第4代SiC MOSFET裸芯片 2024-08-29

羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)...
羅姆PCIM Asia碳化硅功率元器件和模... 2024-08-02

ROHM開發(fā)出新型二合一 SiC封裝模塊“TRCDRIVE pack”

小型封裝內(nèi)置第4代SiC MOSFET，實現(xiàn)業(yè)界超高功率密度，助力xEV逆變器實現(xiàn)小型化！全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（電動汽車）用牽引逆變器，開發(fā)出二合一SiC封裝型模塊“TRCDRIVE pack™”，共4款產(chǎn)品（750V 2個型號：BSTxxxD08P4A1x4，1,200V ...
SiC MOSFETxEV逆變器 2024-06-12

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