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Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件，助力計(jì)算、人工智能、能源和汽車電源系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能和電氣性能

新推出器件是業(yè)界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管，擴(kuò)展Transphorm多樣化的產(chǎn)品封裝組合代表著下一代電源系統(tǒng)未來的，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN® FET。新產(chǎn)品TP65H070G4RS 晶體管的導(dǎo)通...
TransphormTOLT封裝FET器件TP65H070G4RS晶體管 2023-11-29

Transphorm公司的TOLL FET將GaN定位為適用于耗電型AI應(yīng)用的最佳器件

三種新器件為基于SMD的高功率系統(tǒng)帶來了SuperGaN的常關(guān)D模式平臺(tái)優(yōu)勢(shì)，該系統(tǒng)要求在緊湊的占地面積內(nèi)以較低的熱阻獲得更高的可靠性及性能Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是強(qiáng)大的GaN功率半導(dǎo)體（下一代電力系統(tǒng)的未來）領(lǐng)域全球領(lǐng)先的企業(yè)。該公司今天推出了三款TOLL封裝的SuperGaN®FET，其導(dǎo)通電...
TransphormTOLL FETGaN 2023-10-11

Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驅(qū)動(dòng)器解決方案

Transphorm FET 使用簡單的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)了高達(dá) 99% 的效率，驗(yàn)證了在超過 1 kW 的寬功率范圍內(nèi)具有成本效益的設(shè)計(jì)方案新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動(dòng)器解決方案。這款設(shè)計(jì)方案面向中低功率的應(yīng)...
TransphormSuperGaN FET低成本驅(qū)動(dòng)器解決方案 2023-06-16

Transphorm宣布推出低成本的SuperGaN FET驅(qū)動(dòng)器解決方案

Transphorm FET利用簡單的半橋門驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高達(dá)99%的效率，驗(yàn)證了在超過一千瓦的寬廣功率范圍內(nèi)具有成本效益的設(shè)計(jì)方案Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是全球下一代電力系統(tǒng)中的GaN（氮化鎵）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，最近推出了一款高性能、低成本的驅(qū)動(dòng)器解決方案。該設(shè)計(jì)方案適用于LED照明、充電、微逆變器、UPS...
TransphormSuperGaN FET驅(qū)動(dòng)器解... 2023-06-12

采用EPC新型車規(guī)級(jí)GaN FET設(shè)計(jì)更高分辨率激光雷達(dá)系統(tǒng)

以實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)的自主式系統(tǒng)EPC推出 80 V、通過AEC-Q101 認(rèn)證的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)計(jì)人員提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解決方案，用于車規(guī)級(jí)激光雷達(dá)、48 V/12 V DC/DC轉(zhuǎn)換和低電感電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。作為增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN®) FET 和 IC 的全球領(lǐng)導(dǎo)者，宜普電源轉(zhuǎn)換公司（E...
車規(guī)級(jí)GaN FET設(shè)計(jì)激光雷達(dá)系統(tǒng) 2023-02-07

UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購）宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V 第四代 SiC FET

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo®（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動(dòng)汽...
UnitedSiCQorvoSiC FET 2022-05-17

Qorvo 宣布推出集成智能電機(jī)控制器和高效 SiC FET 的電源解決方案

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo®（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出一款電機(jī)控制參考設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)將 PAC5556 智能電機(jī)控制器與 Qorvo 的新型碳化硅 (SiC) FET 集成到概念驗(yàn)證片上系統(tǒng) (SoC) 中，以驅(qū)動(dòng)高達(dá) 3000W 的應(yīng)用。 Qorvo 可編程電源管理業(yè)...
Qorvo電機(jī)控制器SiC FET電源 2022-02-11

聯(lián)合碳化硅基于第四代先進(jìn)技術(shù)推出新型SiC FET器件

業(yè)界首批750V器件為高增長電源應(yīng)用設(shè)定性能基準(zhǔn) 2020年12月1日，美國新澤西州普林斯頓：領(lǐng)先的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC（聯(lián)合碳化硅）公司，現(xiàn)已基于其第四代SiC FET先進(jìn)技術(shù)平臺(tái)推出四款首批器件。作為目前市場上首批也是唯一的750V SiC FET，這四款第四代器件基于領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)...
SiC FET器件DCDC轉(zhuǎn)換電信整流器 2020-12-01

TI 推首款汽車和工業(yè)級(jí)GaN FET 功率密度再翻倍

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提升，人們逐漸將目標(biāo)轉(zhuǎn)向了尋找Si以外新一代的半導(dǎo)體材料。在這個(gè)過程中，GaN近年來作為一個(gè)高頻詞匯，進(jìn)入了人們的視野。 GaN和SiC同屬于第三代高大禁帶寬度的半導(dǎo)體材料的代表，由于禁帶寬度大、導(dǎo)熱率高等特性，利用GaN人們可以獲得具有更大帶寬、更高放大器增益、更高能效、尺...
GaN FET功率密度電源磁性器件 2020-11-20

TI推出其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的車用GaN FET

德州儀器（TI）今天推出了面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的下一代650V和600V氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET），進(jìn)一步豐富拓展了其高壓電源管理產(chǎn)品線。與現(xiàn)有解決方案相比，新的GaN FET系列采用快速切換的2.2 MHz集成柵極驅(qū)動(dòng)器，可幫助工程師提供兩倍的功率密度和高達(dá)99％的效率，并將電源磁性器件的尺寸減少59...
GaN FETTI 2020-11-10

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