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↓在全部中搜索到 3094 條關于“FET”的信息，用時:0.041 sec.

Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件，助力計算、人工智能、能源和汽車電源系統實現卓越的熱性能和電氣性能

新推出器件是業界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管，擴展Transphorm多樣化的產品封裝組合代表著下一代電源系統未來的，氮化鎵（GaN）功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN® FET。新產品TP65H070G4RS 晶體管的導通...
TransphormTOLT封裝FET器件TP65H070G4RS晶體管 2023-11-29

Transphorm公司的TOLL FET將GaN定位為適用于耗電型AI應用的最佳器件

三種新器件為基于SMD的高功率系統帶來了SuperGaN的常關D模式平臺優勢，該系統要求在緊湊的占地面積內以較低的熱阻獲得更高的可靠性及性能Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是強大的GaN功率半導體（下一代電力系統的未來）領域全球領先的企業。該公司今天推出了三款TOLL封裝的SuperGaN®FET，其導通電...
TransphormTOLL FETGaN 2023-10-11

Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驅動器解決方案

Transphorm FET 使用簡單的半橋柵極驅動器實現了高達 99% 的效率，驗證了在超過 1 kW 的寬功率范圍內具有成本效益的設計方案新世代電力系統的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉換產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發布了一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應...
TransphormSuperGaN FET低成本驅動器解決方案 2023-06-16

Transphorm宣布推出低成本的SuperGaN FET驅動器解決方案

Transphorm FET利用簡單的半橋門驅動器實現高達99%的效率，驗證了在超過一千瓦的寬廣功率范圍內具有成本效益的設計方案Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是全球下一代電力系統中的GaN（氮化鎵）技術領導者，最近推出了一款高性能、低成本的驅動器解決方案。該設計方案適用于LED照明、充電、微逆變器、UPS...
TransphormSuperGaN FET驅動器解... 2023-06-12

采用EPC新型車規級GaN FET設計更高分辨率激光雷達系統

以實現更先進的自主式系統EPC推出 80 V、通過AEC-Q101 認證的氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）EPC2252，為設計人員提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解決方案，用于車規級激光雷達、48 V/12 V DC/DC轉換和低電感電機驅動器。作為增強型氮化鎵 (eGaN®) FET 和 IC 的全球領導者，宜普電源轉換公司（E...
車規級GaN FET設計激光雷達系統 2023-02-07

UnitedSiC（現已被 Qorvo收購）宣布推出行業先進的高性能 1200 V 第四代 SiC FET

移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo®（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構，這種架構常見于電動汽...
UnitedSiCQorvoSiC FET 2022-05-17

Qorvo 宣布推出集成智能電機控制器和高效 SiC FET 的電源解決方案

移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo®（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出一款電機控制參考設計，該設計將 PAC5556 智能電機控制器與 Qorvo 的新型碳化硅 (SiC) FET 集成到概念驗證片上系統 (SoC) 中，以驅動高達 3000W 的應用。 Qorvo 可編程電源管理業...
Qorvo電機控制器SiC FET電源 2022-02-11

聯合碳化硅基于第四代先進技術推出新型SiC FET器件

業界首批750V器件為高增長電源應用設定性能基準 2020年12月1日，美國新澤西州普林斯頓：領先的碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC（聯合碳化硅）公司，現已基于其第四代SiC FET先進技術平臺推出四款首批器件。作為目前市場上首批也是唯一的750V SiC FET，這四款第四代器件基于領先的品質因數...
SiC FET器件DCDC轉換電信整流器 2020-12-01

TI 推首款汽車和工業級GaN FET 功率密度再翻倍

隨著半導體技術的提升，人們逐漸將目標轉向了尋找Si以外新一代的半導體材料。在這個過程中，GaN近年來作為一個高頻詞匯，進入了人們的視野。 GaN和SiC同屬于第三代高大禁帶寬度的半導體材料的代表，由于禁帶寬度大、導熱率高等特性，利用GaN人們可以獲得具有更大帶寬、更高放大器增益、更高能效、尺...
GaN FET功率密度電源磁性器件 2020-11-20

TI推出其首款帶集成驅動器、內部保護和有源電源管理的車用GaN FET

德州儀器（TI）今天推出了面向汽車和工業應用的下一代650V和600V氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET），進一步豐富拓展了其高壓電源管理產品線。與現有解決方案相比，新的GaN FET系列采用快速切換的2.2 MHz集成柵極驅動器，可幫助工程師提供兩倍的功率密度和高達99％的效率，并將電源磁性器件的尺寸減少59...
GaN FETTI 2020-11-10

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