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↓在全部中搜索到 4 條關于“OCTRAM”的信息，用時:0.028 sec.

鎧俠宣布用于氧化物半導體的DRAM內存的OCTRAM技術

從服務器到個人電腦，再到帶獨立緩存的固態硬盤，高效的易失性存儲DRAM內存都是不可或缺的重要加速方案之一。鎧俠在近日宣布，已開發出OCTRAM（OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM，氧化物半導體晶體管 DRAM）技術，這是一種新型4F² DRAM，由兼具高導通電流和超低漏電流的...
鎧俠DRAMOCTRAM 2024-12-30

2025存儲前瞻：用存儲加速AI，高性能SSD普適化

縱觀2024年，存儲技術升級已經給AI計算、云端應用帶來了諸多便利，從年初鎧俠首款量產車規級UFS 4.0推動行業發展，到RM、PM和XG系列SSD與HPE攜手登陸國際空間站，再到推出容量高達2Tb的第八代BiCS FLASH™ QLC，展示下一代前瞻性的光學結構SSD，鎧俠與合作伙伴一起，不僅滿足了時下的存儲應用需求...
SSD鎧俠 2024-12-27

Kioxia開發出OCTRAM（氧化物半導體通道晶體管DRAM）技術

存儲器解決方案領域的全球領導者Kioxia Corporation今天宣布開發出OCTRAM（氧化物半導體通道晶體管DRAM），這種新型4F2 DRAM由同時具有高導通電流和超低關斷電流的氧化物半導體晶體管組成。該技術有望通過發揮InGaZnO*1晶體管的超低泄漏特性來實現低功耗DRAM。這一消息是在2024年12月9日于加州舊金...
KioxiaOCTRAMDRAM 2024-12-12

Kioxia 將于 IEDM 2024 揭曉新興存儲器技術

展示面向 AI、計算和存儲系統的創新應用Kioxia Corporation 是全球存儲器解決方案的領導者，公司今日宣布，其研究論文已被 IEEE 國際電子器件會議 (IEDM) 2024 接受發表。IEDM 2024 是享譽全球的國際盛會，將于 12 月 7 日至 11 日在美國舊金山舉行。存儲器層次結構（圖示：美國商業...
KIOXIAIEDM 2024存儲器 2024-10-24

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