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應(yīng)用開發(fā)

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↓在全部中搜索到 58 條關(guān)于“RRAM”的信息，用時(shí):0.026 sec.

RRAM：高性能嵌入式應(yīng)用程序的非揮發(fā)記憶

高性能嵌入式系統(tǒng)中的內(nèi)存　　新興連接的系統(tǒng)面臨許多艱難的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。例如，盡管增加了數(shù)據(jù)和事件記錄要求，但醫(yī)療設(shè)備（例如助聽器，連續(xù)的葡萄糖監(jiān)視器（CGM）和補(bǔ)?。┤钥梢赃m合較小的外形，以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程監(jiān)視和遵守行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)?！　〗酉聛?，行業(yè)4.0系統(tǒng)中的智能設(shè)備需要更大的代碼存儲(chǔ)，以促進(jìn)諸如遙感...
RRAM嵌入式應(yīng)用 2025-02-26

北方華創(chuàng)攜手?？莆①x能全球首顆嵌入式RRAM顯示驅(qū)動(dòng)芯片

日前，全球首顆采用嵌入式RRAM（Resistive Random Access Memory，阻變存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)技術(shù)AMOLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片完成開發(fā)和認(rèn)證。該新型嵌入式RRAM顯示驅(qū)動(dòng)芯片由存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)公司?？莆㈦娮覽1]提供技術(shù)支持，由北方華創(chuàng)提供刻蝕和薄膜設(shè)備及工藝解決方案。[1]合肥?？莆㈦娮佑邢薰?，專注于新型存儲(chǔ)器領(lǐng)域的...
北方華創(chuàng)?？莆?/a>嵌入式RRAM顯示驅(qū)動(dòng)芯... 2024-08-28

車載MCU，又要變天了

作者: 付斌要說MCU未來兩年還能怎么變？除了加入AI加速器，或者從Cortex-M核心切換到RISC-V核心，就是集成新型存儲(chǔ)器。2月28日，英飛凌宣布新一代MCU AURIX TC4x 即將量產(chǎn)，與傳統(tǒng)MCU不同，本代產(chǎn)品引入 RRAM 非易失存儲(chǔ)介質(zhì)（NVM）。無獨(dú)有偶，ISSCC 2024上，瑞薩宣布已開發(fā)出用于嵌入式（包括MCU）的...
MCURRAMMRAMPCM 2024-03-11

英飛凌攜手臺(tái)積電將RRAM技術(shù)引入至AURIX TC4x汽車微控制器產(chǎn)品系列

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和臺(tái)積電近日宣布，兩家公司準(zhǔn)備將臺(tái)積電的可變電阻式記憶體制程技術(shù)引入至英飛凌的新一代MCU AURIX™微控制器中。自首個(gè)發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)問世以來，嵌入式閃存微控制器一直是汽車電子控制單元（ECU）的主要構(gòu)建模塊。這些微控制器是打造...
英飛凌臺(tái)積電RRAM技術(shù)AURIX TC4x汽車微控制... 2022-12-07

兆易創(chuàng)新宣布與Rambus簽訂專利授權(quán)協(xié)議

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）今日宣布，與領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP供應(yīng)商Rambus Inc. 就RRAM (電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) 技術(shù)簽署專利授權(quán)協(xié)議。同時(shí)，兆易創(chuàng)新還與其同Rambus 以及幾家戰(zhàn)略投資伙伴的合資企業(yè)——合肥睿科微（Reliance Memory）簽署了授權(quán)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，...
兆易創(chuàng)新Rambus專利授權(quán)協(xié)議新型存儲(chǔ)器RRAM 2020-05-12

RRAM的FPGA技術(shù)

針對(duì)基于傳統(tǒng)FPGA中SRAM架構(gòu)的揮發(fā)性缺點(diǎn)，如果將SRAM變?yōu)榉菗]發(fā)性的SRAM，即可以擁有SRAM連續(xù)高速數(shù)據(jù)寫入的優(yōu)點(diǎn)，又可以確保斷電后不丟失數(shù)據(jù)，保證數(shù)據(jù)的安全。目前已有關(guān)于采用NVSRAM編程的FPGA的報(bào)道，如基于鐵電存儲(chǔ)器的NVSRAM。鐵電FPGA具有低電壓、低功耗、無需外置非揮發(fā)存儲(chǔ)器等優(yōu)點(diǎn)。...
2016-10-13

RRAM器件

RRAM的器件性能與電學(xué)操作方法有關(guān)，即與器件的forming、SET、RESET過程中具體外加電壓／電流信號(hào)的方式有關(guān)。在RRAM器件的研究工作中，通常使用直流電壓掃描方式(VSM)來對(duì)器件單元進(jìn)行基本的操作，獲取器件的電阻轉(zhuǎn)變參數(shù)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是操作簡(jiǎn)單，而且比較直觀。然而在采用直流電壓掃描的方...
2016-10-13

--BBS主題帖: FRAM邁向主流存儲(chǔ)器之漫漫長(zhǎng)路

[color=#000][font=Arial,]鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，或FeRAM）在1990年代中期被認(rèn)為將成為主流技術(shù)，但至今仍與其他眾多新存儲(chǔ)器技術(shù)一樣，并沒有如預(yù)期般迅速崛起。FRAM 的內(nèi)部運(yùn)作原理類似DRAM，有媲美SRAM的高速度以及如同快閃存儲(chǔ)器的非揮發(fā)性；在1980年代首個(gè)成功的FRAM[/font][/color][url=http://www....
2015-09-17

三星看好PCM內(nèi)存潛力有望取代NAND和NOR閃存

三星表示,PCM(相變內(nèi)存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢(shì)可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動(dòng)存儲(chǔ)形式.多年來,半導(dǎo)體廠商一直在致力研究PCM內(nèi)存,不過,它一直處于試驗(yàn)階段.PCM內(nèi)存當(dāng)中包含有類似玻璃的材料,當(dāng)其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會(huì)發(fā)生改變,晶體的變化對(duì)應(yīng)計(jì)算上的0,1狀態(tài),從而可以用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ).一直以來,...
2014-05-07

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