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↓在全部中搜索到 1 條關于“SiRA20DP”的信息，用時:0.026 sec.

Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度

器件在10V下的最大導通電阻為0.58mΩ，柵極電荷為61nC，采用小尺寸PowerPAK® SO-8單片封裝日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的25V N溝道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導通電阻為業內最低，僅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的柵極電荷...
VishayN溝道功率MOSFETSiRA20DP 2017-11-27

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