英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級(jí)1200 V CoolSiC™ MOSFET。這款新一代車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)MOSFET具有高功率密度和效率,能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充電功能,并顯著降低了車載充電(OBC)和DC-DC應(yīng)用的系統(tǒng)成本。 相比第一代產(chǎn)品,1200 V CoolSiC系列的開關(guān)損耗降低了25%,具有同類最佳的開關(guān)性能。... (來源:新品頻道)
英飛凌 1200 V CoolSiC 溝槽式MOSFET 碳化硅(SiC)MOSFET 2023-7-3 11:36