• 憑借這一突破性的 300 mm GaN技術,英飛凌將推動GaN市場快速增長• 利用現有的大規模300 mm硅制造設施,英飛凌將最大化GaN生產的資本效率• 300 mm GaN的成本將逐漸與硅的成本持平英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今天宣布,已成功開發出全球首項300 mm氮化鎵... (來源:新聞頻道)
英飛凌 氮化鎵功率半導體技術 300 mm晶圓芯片 2024-9-12 11:40