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三星電子和臺積電目前都計劃開展 3nm 制程工藝研發。據外媒 TomsHardware 消息,三星在 IEEE 國際固態電路會議(ISSCC)上,三星工程師分享了即將推出的 3nm GAE MBCFET 芯片的制造細節。 GAAFET 晶體管(閘極全環場效晶體管)從構造上有兩種形態,是目前 FinFET 的升級版。三星表示傳統的... (來源:新聞頻道)
三星 3nm MBCFET 2021-3-15 10:20
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