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三星電子和臺(tái)積電目前都計(jì)劃開(kāi)展 3nm 制程工藝研發(fā)。據(jù)外媒 TomsHardware 消息，三星在 IEEE 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，三星工程師分享了即將推出的 3nm GAE MBCFET 芯片的制造細(xì)節(jié)。 GAAFET 晶體管（閘極全環(huán)場(chǎng)效晶體管）從構(gòu)造上有兩種形態(tài)，是目前 FinFET 的升級(jí)版。三星表示傳統(tǒng)的... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
三星 3nm MBCFET 2021-3-15 10:20
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