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第四代器件，額定功率和功率密度高于D2PAK 封裝產品，降低導通和開關損耗，從而提升能效日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用新型PowerPAK® 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，為通信、工業和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。與前代器件相... （來源：新品頻道）
Vishay 600 V E系列功率MOSFET 2024-5-7 13:51
第四代器件，提高額定功率和功率密度，降低導通和開關損耗，從而提升能效日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業和計算應用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導通電阻... （來源：新品頻道）
Vishay MOSFET SiHP054N65E 2023-9-4 14:43
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、服務器和數據中心電源應用提供了高效解決方案，同時實現柵極電荷下降60 %。... （來源：新品頻道）
VishayMOSFETSiHK045N60E 2022-2-21 14:04
超級結器件降低傳導和開關損耗，提高通信、工業和企業級應用能效日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業和企業級電源應用提供高效解決方案... （來源：新聞頻道）
第四代600 V E系列功率MOSFET器件 SiHH068N60E 2019-1-28 15:40
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